高四方相氧化锆-氧化铝复合粉料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1257132C

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:CN200410029885.4

    申请日:2004-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种高四方相氧化锆-氧化铝复合粉料及其制备方法。为了满足制备高性能陶瓷,需要用高浓度、低粘度浆料,以及需要高四方相氧化锆含量的粉料,本发明解决了现有技术中氧化锆粉料存在的四方相含量低、表面吸附水量大等问题,采用非均相沉淀方法在氧化锆表面包覆一层氧化铝层,然后通过热处理使其生成氧化铝固结在氧化锆表面。本发明提高了氧化锆粉料中四方相含量,增加了氧化锆粉料在制备陶瓷中的利用率,通过氧化锆和氧化铝粉料的热处理组合成相对较大的颗粒,降低了其表面吸附水量,从而在制备低粘度浆料时增加了固相含量。同时包覆一层氧化铝层有效地抑制了高温下氧化锆晶粒长大,有利于生成氧化锆和氧化铝细晶陶瓷。

    高四方相氧化锆-氧化铝复合粉料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1562887A

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN200410029885.4

    申请日:2004-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种高四方相氧化锆-氧化铝复合粉料及其制备方法。为了满足制备高性能陶瓷,需要用高浓度、低粘度浆料,以及需要高四方相氧化锆含量的粉料,本发明解决了现有技术中氧化锆粉料存在的四方相含量低、表面吸附水量大等问题,采用非均相沉淀方法在氧化锆表面包覆一层氧化铝层,然后通过热处理使其生成氧化铝固结在氧化锆表面。本发明提高了氧化锆粉料中四方相含量,增加了氧化锆粉料在制备陶瓷中的利用率,通过氧化锆和氧化铝粉料的热处理组合成相对较大的颗粒,降低了其表面吸附水量,从而在制备低粘度浆料时增加了固相含量。同时包覆一层氧化铝层有效地抑制了高温下氧化锆晶粒长大,有利于生成氧化锆和氧化铝细晶陶瓷。

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