公开(公告)号：CN106784303B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201611035237.9

申请日：2016-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  高明 ,  钮伟 ,  徐永兵 ,  张荣

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的的薄膜。

公开(公告)号：CN106784303A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611035237.9

申请日：2016-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  高明 ,  钮伟 ,  徐永兵 ,  张荣

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01L43/10 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/28 ,  C23C14/5806 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的薄膜。