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公开(公告)号：CN116722834A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310808881.9
申请日：2023-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/25 , H10N30/06 , H10N30/045 , H10N30/082 , H10N30/093
Abstract: 本发明公开一种基于周期性畴结构的声表面波器件及其制备方法，包括：利用光刻法在压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面制备极化电极轮廓；利用高温胶带分割压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面，获得不同极化区域；在极化电极轮廓上镀上第一金属电极；撕去高温胶带，得到极化电极结构；利用极化电极结构，制备有部分区域畴翻转结构的压电材料晶体，最终得到基于畴结构激发的声表面波器件。本申请先对钽酸锂的压电材料晶体或铌酸锂的压电材料晶体进行极化，然后通过剥离转移到基底上，并在压电材料晶体的表面镀上电极，以制备声表面波器件，本发明制备的平板电极更利于控制功耗。
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公开(公告)号：CN116256841A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211604389.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂薄膜超晶格波导的制备方法及梳状电极，制备方法包括：刻蚀得到铌酸锂薄膜波导和梳状电极结构；梳状电极的梳指部分呈周期性排列，梳指与铌酸锂z轴垂直，两侧电极的梳指相对，并且一侧电极的梳指为尖指，另一侧电极的梳指为平指；将梳指为尖指的一侧电极上接入电路正极，另一侧电极接地，施加电场，使金属电极覆盖区域的铌酸锂发生畴翻转；去除电极，得到波导区域畴翻转结构，进一步得到铌酸锂薄膜超晶格波导。本申请大大降低了先极化后刻蚀波导工艺中由于清洗过程中正负极性畴选择性腐蚀带来的波导损耗，同时梳状电极结构能够极化出畴壁非常薄的矩形畴，提高了畴的质量，有助于后续工艺的衔接。
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公开(公告)号：CN101938086B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010262627.6
申请日：2010-08-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/34 , H01S5/065 , H01S5/0687 , H01S5/10
Abstract: 级联超晶格锁模激光器的构造方法，级联的光学超晶格作为非线性晶体，利用两段或多段畴结构级联光学超晶格中的级联二阶非线性效应，产生等效的三阶非线性效应，通过控温炉控制光学超晶格的温度，使非线性晶体工作在相位匹配点；调整谐振腔，达到非线性频率转换的要求；设置激光器谐振腔内的光阑位置，使光阑处的光斑半径随泵浦功率的增大而减少，光阑实现非线性损耗调制，空间相位调制转化为强度调制，实现锁模激光输出。本发明可以获得更大的非线性损耗系数，从而可以支持得到较大稳区范围的锁模运转，实现锁模激光的自启动，光斑质量，稳定性与光光转换效率都得到提高。
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公开(公告)号：CN119937091A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510357316.4
申请日：2025-03-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电畴工程的片上非线性导波模式转换装置及制备方法，所述装置包括Z切薄膜铌酸锂波导，该波导从上往下依次包括Z切薄膜铌酸锂、二氧化硅层、硅基底，其中，Z切薄膜铌酸锂层具有正负畴呈周期性交替排列的二维铁电畴结构，制备该二维铁电畴结构的电极结构由n+1组呈梳状的电极交错排列构成，且电极间相互绝缘，每组梳状电极均呈周期性排列，电极宽度为极化周期的1/4，n为目标横向电场的节点数。本发明利用高压电场极化技术和半导体制备工艺，在薄膜铌酸锂材料平台上制备出具有二维铁电畴结构的Z切薄膜铌酸锂波导，从而解决了波导基波基模到二次谐波高阶模式的非线性转换问题，并且具有可拓展性。
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公开(公告)号：CN117215098B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202311183141.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种基于光学超晶格电光长周期光栅的滤波器及制备方法。通过基模和泄漏模之间的耦合，来实现通信波段的窄带滤波，可应用于光通信和光波导器件领域。滤波器包括：基底，埋藏绝缘层，薄膜层，周期极化超晶格波导，平板电极；光子芯片的基底，埋藏绝缘层和薄膜层通过晶片键合工艺依次键合，用于制备波导的薄膜，键合在基底、埋藏绝缘层之上，薄膜上表面通过光刻技术刻出波导，波导上通过极化技术形成周期极化超晶格，并在波导两侧平板上覆盖金属平板电极，实现可调电光光栅的功能。本申请的基于光学超晶格电光长周期光栅的滤波器不需要严苛的工艺设备与条件，结构简单，降低了器件的制作难度，对设备要求低，工艺容差大，参数易于控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119087704A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411181902.X
申请日：2024-08-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂波导调制器及其制备方法，所述铌酸锂波导调制器包括衬底和衬底上的脊型波导，所述脊型波导中至少有一部分为铌酸锂负畴结构，所述铌酸锂负畴结构的两侧设有电极；所述铌酸锂波导调制器的制备方法包括：将表面镀膜后的衬底和薄膜铌酸锂进行键合，再将键合后的薄膜铌酸锂加工成脊型波导，然后通过室温电场极化工艺制作负畴结构，最后在脊型波导两侧制备电极。本发明首次利用了铌酸锂的畴反转特性进行电光调制并制备得到铌酸锂波导调制器，制备方法简单易行，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104242040A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410494827.2
申请日：2014-09-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01S3/109
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂光学超晶格的非线性切伦科夫辐射光源，包括激光泵浦源和光学谐振腔。光学谐振腔内的激光增益介质晶体为掺杂的光学超晶格晶体。掺杂的光学超晶格晶体是以铌酸锂或钽酸锂或掺镁铌酸锂或磷酸钛氧钾或磷酸钛氧铷为基质材料构筑的一维或二维或三维的周期性结构的非线性晶体，并在内部的掺杂有镧系元素离子或锕系元素离子或过渡金属离子作为激光增益离子。相比于现有技术，本发明集成化程度较高激光腔内使用切伦科夫型相位匹配方式，对工作波长、温度等条件的要求不再苛刻，因此系统的环境容忍度更高。
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公开(公告)号：CN116256841B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202211604389.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂薄膜超晶格波导的制备方法及梳状电极，制备方法包括：刻蚀得到铌酸锂薄膜波导和梳状电极结构；梳状电极的梳指部分呈周期性排列，梳指与铌酸锂z轴垂直，两侧电极的梳指相对，并且一侧电极的梳指为尖指，另一侧电极的梳指为平指；将梳指为尖指的一侧电极上接入电路正极，另一侧电极接地，施加电场，使金属电极覆盖区域的铌酸锂发生畴翻转；去除电极，得到波导区域畴翻转结构，进一步得到铌酸锂薄膜超晶格波导。本申请大大降低了先极化后刻蚀波导工艺中由于清洗过程中正负极性畴选择性腐蚀带来的波导损耗，同时梳状电极结构能够极化出畴壁非常薄的矩形畴，提高了畴的质量，有助于后续工艺的衔接。
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公开(公告)号：CN104793287A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510161482.3
申请日：2015-04-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02F1/05 , G02F1/0027 , G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种铁电超晶格制备方法，以铁电材料为基片，在基片的两个面同时制作与需要制作的畴结构相对应的图案电极,且电极图案的投影完全吻合；基片的+Z面图案电极接高压，-Z面图案电极接地；电脉冲的电压按照基片的材质和厚度进行选择，在几十到几万伏特的范围；电脉冲施加于两电极间，制备出铁电超晶格；所述图案电极包括周期、非周期、准周期、双周期、一维、二维等图案电极结构。本发明通过施加高于矫顽场的电脉冲，制备出铁电超晶格。本发明通过两面图案电极，增强了非电极区域对电畴侧向扩展的抑制作用，可以实现小周期和厚基片铁电超晶格的制备。
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公开(公告)号：CN117215098A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311183141.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种基于光学超晶格电光长周期光栅的滤波器及制备方法。通过基模和泄漏模之间的耦合，来实现通信波段的窄带滤波，可应用于光通信和光波导器件领域。滤波器包括：基底，埋藏绝缘层，薄膜层，周期极化超晶格波导，平板电极；光子芯片的基底，埋藏绝缘层和薄膜层通过晶片键合工艺依次键合，用于制备波导的薄膜，键合在基底、埋藏绝缘层之上，薄膜上表面通过光刻技术刻出波导，波导上通过极化技术形成周期极化超晶格，并在波导两侧平板上覆盖金属平板电极，实现可调电光光栅的功能。本申请的基于光学超晶格电光长周期光栅的滤波器不需要严苛的工艺设备与条件，结构简单，降低了器件的制作难度，对设备要求低，工艺容差大，参数易于控制。
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