公开(公告)号：CN109576657B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201811479447.6

申请日：2018-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 王力波 ,  陈实 ,  康琳 ,  贾小氢

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种制备改变氮化铌超导薄膜晶体结构的方法，属于超导薄膜制备与优化领域，包括以下步骤：清洗准备衬底；氩离子束轰击铣衬底；反应磁控溅射制备薄膜；X射线衍射仪扫描薄膜衍射峰值；透射电子显微镜观察晶体布拉格子结构。本发明解决了磁控溅射制备超导氮化铌薄膜中对于不同晶体结构、不同超导性能的超导薄膜的精确需求。

公开(公告)号：CN111129280A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911422395.3

申请日：2019-12-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  王力波 ,  陶旭 ,  何广龙 ,  李飞燕 ,  贾小氢 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: H01L39/10 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种集成波导结构光子数分辨超导单光子探测器，包括衬底和SiOx波导结构，所述衬底与SiOx波导之间设置有由若干个单元串联的超导纳米线单光子探测阵列，每个单元由电阻和纳米线并联而成。本发明不仅能够高速探测到波导传输的极微弱光子，并且能够分辨检测到的光子数目，在量子光学芯片领域具有重要应用。本发明的制备方法为：1、在氟化镁衬底上磁控溅射氮化铌超导薄膜；2、光刻和剥离制备电极；3、用电子束光刻制备纳米线图形，并通过反应离子刻蚀获得氮化铌纳米线阵列；4、光刻电阻图案，并通过制备并联电阻；5、用电子束光刻制备波导图形，并通过等离子体增强化学气相沉积淀积SiOx波导。本发明的制备工艺步骤简单，成品率较高。

公开(公告)号：CN109576657A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811479447.6

申请日：2018-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 王力波 ,  陈实 ,  康琳 ,  贾小氢

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641

Abstract: 本发明公开了一种制备改变氮化铌超导薄膜晶体结构的方法，包括以下步骤：清洗准备衬底；氩离子束轰击铣衬底；反应磁控溅射制备薄膜；X射线衍射仪扫描薄膜衍射峰值；透射电子显微镜观察晶体布拉格子结构。本发明解决了磁控溅射制备超导氮化铌薄膜中对于不同晶体结构、不同超导性能的超导薄膜的精确需求。