-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110275077B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910572602.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法，包括以下步骤：(1)在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品；(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接，在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接；(3)金属块和样品座相连，样品座放入到低温强磁场平台，测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度；(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K～400K)内，定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度，测试信号信噪比好，能测到nV量级信号。
-
公开(公告)号：CN110220930A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910540658.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明公开了一种自旋效应微电子集成测试台，该测试台包括处于稳恒磁场中并绕水平轴旋转的样品台，所述样品台包括用于测量样品电信号的测量单元、用于在样品处形成激发其产生自旋流的微波场的微波单元、以及用于在垂直于样品平面的方向上建立温度梯度的加热单元。本发明无需重新制样，对同一样品中的多种自旋效应相关参数进行多次测量，节约测量时间，还可以同时对样品施加直流电流、微波及温度梯度，用于测量多种参数之间的相互耦合效应。
-
公开(公告)号：CN110220930B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910540658.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明公开了一种自旋效应微电子集成测试台，该测试台包括处于稳恒磁场中并绕水平轴旋转的样品台，所述样品台包括用于测量样品电信号的测量单元、用于在样品处形成激发其产生自旋流的微波场的微波单元、以及用于在垂直于样品平面的方向上建立温度梯度的加热单元。本发明无需重新制样，对同一样品中的多种自旋效应相关参数进行多次测量，节约测量时间，还可以同时对样品施加直流电流、微波及温度梯度，用于测量多种参数之间的相互耦合效应。
-
公开(公告)号：CN110275077A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910572602.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法，包括以下步骤：(1)在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品；(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接，在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接；(3)金属块和样品座相连，样品座放入到低温强磁场平台，测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度；(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K～400K)内，定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度，测试信号信噪比好，能测到nV量级信号。
-
公开(公告)号：CN111607770A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010570730.0
申请日：2020-06-19
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , G01N23/20 , G01N23/205
Abstract: 本发明公开了一种兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备，包括六个及以上的偶数个磁控溅射靶，均位于样品下方的同一平面上并均匀分布环绕着样品在该平面的投影，且若干个磁控溅射靶以共溅射的方式倾斜安装，靶中心均指向样品，相邻磁控溅射靶中永磁体的磁化构型相反；该设备还包括用于RHEED测量的电子枪、荧光屏和摄像头，均设于真空腔体主体上，所述电子枪发射电子束掠入射至样品表面，从样品出射的电子束在所述荧光屏上成像，由摄像头采集RHEED的图像信息。本发明实现了在磁控溅射腔体内存在磁场的情况下，兼容反射式高能电子衍射测量，可以对样品表面的薄膜溅射过程实现原位实时的监测。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.013 seconds)
