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公开(公告)号：CN111607770A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010570730.0
申请日：2020-06-19
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , G01N23/20 , G01N23/205
Abstract: 本发明公开了一种兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备，包括六个及以上的偶数个磁控溅射靶，均位于样品下方的同一平面上并均匀分布环绕着样品在该平面的投影，且若干个磁控溅射靶以共溅射的方式倾斜安装，靶中心均指向样品，相邻磁控溅射靶中永磁体的磁化构型相反；该设备还包括用于RHEED测量的电子枪、荧光屏和摄像头，均设于真空腔体主体上，所述电子枪发射电子束掠入射至样品表面，从样品出射的电子束在所述荧光屏上成像，由摄像头采集RHEED的图像信息。本发明实现了在磁控溅射腔体内存在磁场的情况下，兼容反射式高能电子衍射测量，可以对样品表面的薄膜溅射过程实现原位实时的监测。
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