公开(公告)号：CN119980456A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510224531.7

申请日：2025-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  杨旻昱 ,  张崇德 ,  房照轩 ,  姚佳豪 ,  高翔 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了一种基于叔丁醇前驱体的常压MOCVD外延生长α‑ Ga2O3薄膜的方法。包括以下步骤：清洗衬底，将清洗过的衬底置于金属有机化学气相沉积设备的反应室基座上；向反应室中通入氮气，将反应室的气压调至常压；对反应室中的衬底进行高温预处理，高温预处理的条件为1000~1200℃、15~30 min；将衬底降温到570~630℃，以三乙基镓为镓源前驱体，叔丁醇为氧源前驱体，在衬底上生长α‑Ga2O3薄膜样品；对α‑Ga2O3薄膜样品进行降温至室温，同时通入氮气，得到α‑Ga2O3薄膜。利用本发明的方法能够制备得到高质量、高速生长的纯相亚稳态α‑Ga2O3薄膜。