一种低功耗的氢气检测方法及其装置和制备方法

    公开(公告)号:CN110726763B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201910992375.3

    申请日:2019-10-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种低功耗的氢气检测方法及其装置和制备方法,该检测方法利用钯金属吸氢前和吸氢后的自旋轨道耦合强度不同,不同的自旋轨道耦合强度通过逆自旋霍尔效应表现出来,即通过钯金属与自旋极化层的异质结构,自旋极化层中的自旋信号会在的钯金属层中自发产生不一样的电流信号,实现氢气的检测。自旋极化层的自旋流在理论上具备无耗散的性质,而且钯金属层中的电流是自发形成的,不需要引入电源,因此减小了氢气检测的功耗,满足了传感小型化的目标。本发明既利用了钯金属层的自旋轨道耦合作用,又利用了钯金属层优异的氢敏特性,由于自旋无耗散的特点,使得这种结构的氢气检测方法能获得更小的功耗。

    一种纳米机电氢气传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110702743A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201910983310.2

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米机电氢气传感器及其制备方法,其中传感器包括自下至上依次设置的衬底层和至少一层铁电层,位于最上层的铁电层上设置有至少一根金属纳米线,每根金属纳米线上设置有至少一个裂结,所述金属纳米线的两端分别连接设置于最上层的铁电层上第一电极层,位于最下层的铁电层与衬底层之间设置有第二电极层,或者第二电极层设置并连接于非最上层的铁电层的外围;本发明采用铁电层/金属纳米线及其裂结的复合结构作为纳米机电氢气传感器的敏感模块,既充分利用了金属纳米线及其裂结的氢敏特性,又利用了铁电层在循环电场作用下对裂结的开闭状态的控制,使得这种结构纳米机电氢气传感器能获得寿命长更高灵敏的氢敏特性。

    一种基于团簇离子注入的二维材料掺杂方法

    公开(公告)号:CN117116772A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311357685.0

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明属于先进电子元器件技术领域,特别涉及一种基于团簇离子注入的二维材料掺杂方法,包括选取二维材料样品放于衬底上;在二维材料样品上通过蒙特卡洛粒子追踪算法,确定选用的注入参数;更换二维材料样品,置入二维材料薄膜,所述二维材料薄膜厚度≤10nm;选用确定的注入参数形成团簇束流并作用在二维材料薄膜上;改变注入参数形成不同团簇束流并作用在二维材料薄膜上;对注入团簇离子的二维材料薄膜进行退火处理,修复注入造成的损伤。传统二维材料的离子注入,离子一般为单个离子,本发明通过使用离子团簇进行注入,使得离子注入对晶格的破坏减小,从而使得本方法适用于二维半导体材料。

    一种无源低功耗的微波检测方法

    公开(公告)号:CN111487475A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010220940.7

    申请日:2020-03-26

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种无源低功耗的微波检测方法,检测用反铁磁拓扑绝缘体层包括反铁磁拓扑绝缘体层、设置在本征的反铁磁拓扑绝缘体层上的一对分离的电极层;所述反铁磁拓扑绝缘体层为反铁磁材料的薄膜、纳米片或纳米线;所述反铁磁拓扑绝缘体层为拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线;结合其反铁磁原子层+拓扑表面态两者特性,在微波能量下,反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流,拓扑表面态具有将自旋流在表面上自发产生定向的电荷流;通过电极检测表面态中的这一定向的电荷流,实现微波作用条件的无源低功耗探测。由于多层反铁磁拓扑绝缘体层,微波检测灵敏度可成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性,降低了微波检测功耗。

    一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法

    公开(公告)号:CN108511324B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201810299196.7

    申请日:2018-04-04

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术,在46Pa附近的本底真空下,通过高纯氩气作为载体,在恒定温度的衬底上进行生长,之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑In2Se3纳米片组分均匀,形貌为正六边形,尺寸大小在5μm左右,有利于对材料进行光刻等微加工工艺,为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ‑In2Se3纳米片材料制备参数易调整,设备简单,易操作,生长过程可控,工艺重复性好,具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。

    一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法

    公开(公告)号:CN110726736A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910992390.8

    申请日:2019-10-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法,制备反铁磁拓扑绝缘体层,在微波能量下,反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流,由于拓扑表面态自旋动量锁定的特征,自旋流会在表面上自发产生定向的电荷流。通过电极检测该电荷流,实现微波的无源低功耗探测。由于多层的反铁磁拓扑绝缘体层可视为由反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构的周期性堆垛而成,因此微波检测灵敏度成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性,降低了微波检测的功耗。本发明既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性,又利用了反铁磁层的微波共振,使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。

    一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法

    公开(公告)号:CN117912970B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410310355.4

    申请日:2024-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法,属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束;再将团簇束沉积到衬底的表面,使团簇均匀的平铺在衬底的表面,形成团簇层;在温度低于传统焊剂材料熔点1/3以下的常压环境中,加热熔化团簇层,并将待键合的晶圆放置在团簇层上,以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌,实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。

    一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法

    公开(公告)号:CN110726736B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN201910992390.8

    申请日:2019-10-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法,制备反铁磁拓扑绝缘体层,在微波能量下,反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流,由于拓扑表面态自旋动量锁定的特征,自旋流会在表面上自发产生定向的电荷流。通过电极检测该电荷流,实现微波的无源低功耗探测。由于多层的反铁磁拓扑绝缘体层可视为由反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构的周期性堆垛而成,因此微波检测灵敏度成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性,降低了微波检测的功耗。本发明既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性,又利用了反铁磁层的微波共振,使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。

    一种用于团簇束流源的电转向器

    公开(公告)号:CN110129747B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201910131442.2

    申请日:2019-02-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 用于团簇束流源的电转向器,设有8个1/8金属球体安装于立方体框架的顶点处,正方体框架为陶瓷或者聚四氟乙烯材质的绝缘体;正方体框架边长为60±10cm。8个1/8球体相互独立,能够单独加上不同电压。8个1/8金属球体的球心在六面体的8个顶点上。本发明采用8个1/8球形电极上同时加上正或负电压,可以方便控制经过本发明控制体的离子束流,可以正以直线或发生偏转,可以按任意方式控制,尤其是电极的形状精确,施加的电压均衡,电控制束流的性能好。

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