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公开(公告)号：CN114807848A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210416935.2
申请日：2022-04-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积二碲化钼的PLD制备方法，方法在脉冲激光沉积系统(PLD)真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的氟晶云母基片利用脉冲激光沉积系统进行二碲化钼(MoTe2)薄膜的沉积，随后将沉积好的薄膜及适量Te粉末封装进真空石英管中进行高温退火。根据不同的退火条件可以制备出半导体相(2H‑MoTe2)和金属相(1T’‑MoTe2)两种不同相的薄膜。本发明方法原理简单，所制备的二碲化钼厚度也可以通过改变沉积的时间进行调控从而满足不同的实验要求，与传统方法相比能够稳定制备出厘米级别的大面积二碲化钼薄膜，并且能极大地节省原材料，降低成本，更加符合现代化工业制备二碲化钼的工艺要求。
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