一种制备高纯度硅颗粒的方法

    公开(公告)号:CN105417545B

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201510632181.4

    申请日:2015-09-29

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 朱嘉 宗麟奇 崔屹

    Abstract: 本发明通过酸洗平均粒度小于40微米的原料硅颗粒,有效降低了原料硅中杂质的含量,获得了高纯度硅颗粒。该高纯度硅颗粒作为锂离子电池负极材料,表现出较好的循环能力和倍率能力。

    一种制备高纯度硅颗粒的方法

    公开(公告)号:CN105417545A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510632181.4

    申请日:2015-09-29

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 朱嘉 宗麟奇 崔屹

    Abstract: 本发明通过酸洗平均粒度小于40微米的原料硅颗粒,有效降低了原料硅中杂质的含量,获得了高纯度硅颗粒。该高纯度硅颗粒作为锂离子电池负极材料,表现出较好的循环能力和倍率能力。

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