一种快恢复二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN103618006B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201310525160.3

    申请日:2013-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法,具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区,推结形成过程包括,第一步进行硼注入,推结1-10um,第二步进行磷补偿注入,磷注入条件要求推结后只降低靠近硅表面处P区浓度但不足以使其反型,通过有源区补偿注入形成表面浓度低的P区,这样在保证PN结两侧浓度的情况下降低了正向导通时P区空穴注入量,在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心,由此会带来一系列参数的优化。本发明提供的快恢复二极管及其制造方法,通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低,从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。

    一种功率器件的背面buffer层制作方法

    公开(公告)号:CN105023836A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201410169697.5

    申请日:2014-04-25

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件制作方法,具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层,然后进行背封,防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺,背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N-层进行扩散形成buffer层,在外延N+层浓度确定后,buffer层厚度决定于正面热过程,如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层,在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺,避免金属粘附性问题;从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。

    局部阴影下光伏最大功率点跟踪的萤火虫改进方法

    公开(公告)号:CN108693915B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201810766083.3

    申请日:2018-07-12

    Abstract: 本发明涉及光伏并网技术领域,是一种局部阴影下光伏最大功率点跟踪的萤火虫改进方法,其特点是,包括的步骤有:建立光伏阵列阴影情况下的数学模型,得出光伏阵列输出功率P的数学表达式;荧光素值代表光伏阵列输出功率P,萤火虫位置代表光伏阵列输出电压U,通过迭代次数t和迭代次数t‑1时的最优目标值和最差函数值的差的比值,定义变步长因子s(t),用变步长因子代替传统萤火虫算法的固定步长;利用Matlab仿真软件对改进变步长萤火虫算法和传统固定步长萤火虫算法的收敛情况进行比较,可以有效提高迭代初期的收敛速度和迭代后期的稳定性。

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