一种水稻花后低温胁迫下光合作用的模拟方法、系统及装置

    公开(公告)号:CN118314971B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410738183.0

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本发明提供了一种水稻花后低温胁迫下光合作用的模拟方法、系统及装置,方法包括如下步骤:获取水稻在低温胁迫处理阶段和恢复阶段的数据;根据Tmax、Tmin、Th计算低温胁迫处理阶段的ACDDi;根据低温胁迫处理阶段的ACDDi计算低温胁迫处理阶段的ε和FT;根据Tbase、Tmax、Tmin计算恢复阶段的GDD;根据低温胁迫结束当天的ACDDe和GDD计算恢复阶段的FT;根据恢复阶段的FT计算恢复阶段残留的ACDDi,并将计算结果作为计算下一低温胁迫处理阶段的FT的输入值;根据Po,max、PAR、Rd、ε和FT计算Pn。本发明可以更好模拟出不同持续时间低温胁迫对光合作用影响的差异。

    一种水稻花后低温胁迫下光合作用的模拟方法、系统及装置

    公开(公告)号:CN118314971A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410738183.0

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本发明提供了一种水稻花后低温胁迫下光合作用的模拟方法、系统及装置,方法包括如下步骤:获取水稻在低温胁迫处理阶段和恢复阶段的数据;根据Tmax、Tmin、Th计算低温胁迫处理阶段的ACDDi;根据低温胁迫处理阶段的ACDDi计算低温胁迫处理阶段的ε和FT;根据Tbase、Tmax、Tmin计算恢复阶段的GDD;根据低温胁迫结束当天的ACDDe和GDD计算恢复阶段的FT;根据恢复阶段的FT计算恢复阶段残留的ACDDi,并将计算结果作为计算下一低温胁迫处理阶段的FT的输入值;根据Po,max、PAR、Rd、ε和FT计算Pn。本发明可以更好模拟出不同持续时间低温胁迫对光合作用影响的差异。

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