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公开(公告)号：CN118211021B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410609191.5
申请日：2024-05-16
Applicant: 南京农业大学
Abstract: 本发明提供一种水稻冠层氮垂直分布特征模拟方法、系统及装置，方法包括如下步骤：获取所取水稻植株的观测数据；根据不同冠层叶片的叶片干重和不同冠层叶片的叶面积计算植株所有叶片的平均比叶重；根据单位面积种植水稻株数、取样株数和叶面积计算植株所有叶片的叶面积指数；根据植株所有叶片基于质量的平均氮含量和植株所有叶片的平均比叶重计算植株所有叶片基于面积的氮含量平均值；根据植株所有叶片的叶面积指数和植株所有叶片基于面积的氮含量平均值构建冠层垂直剖面叶片氮分布模型。本发明可以准确模拟KN在不同生育阶段、不同栽培条件及不同品种间的变化动态，进而更准确的模拟出水稻冠层氮垂直分布特征的动态变化。
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公开(公告)号：CN118314971A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410738183.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京农业大学
IPC: G16C20/10
Abstract: 本发明提供了一种水稻花后低温胁迫下光合作用的模拟方法、系统及装置，方法包括如下步骤：获取水稻在低温胁迫处理阶段和恢复阶段的数据；根据Tmax、Tmin、Th计算低温胁迫处理阶段的ACDDi；根据低温胁迫处理阶段的ACDDi计算低温胁迫处理阶段的ε和FT；根据Tbase、Tmax、Tmin计算恢复阶段的GDD；根据低温胁迫结束当天的ACDDe和GDD计算恢复阶段的FT；根据恢复阶段的FT计算恢复阶段残留的ACDDi，并将计算结果作为计算下一低温胁迫处理阶段的FT的输入值；根据Po,max、PAR、Rd、ε和FT计算Pn。本发明可以更好模拟出不同持续时间低温胁迫对光合作用影响的差异。
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公开(公告)号：CN118314971B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410738183.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京农业大学
IPC: G16C20/10
Abstract: 本发明提供了一种水稻花后低温胁迫下光合作用的模拟方法、系统及装置，方法包括如下步骤：获取水稻在低温胁迫处理阶段和恢复阶段的数据；根据Tmax、Tmin、Th计算低温胁迫处理阶段的ACDDi；根据低温胁迫处理阶段的ACDDi计算低温胁迫处理阶段的ε和FT；根据Tbase、Tmax、Tmin计算恢复阶段的GDD；根据低温胁迫结束当天的ACDDe和GDD计算恢复阶段的FT；根据恢复阶段的FT计算恢复阶段残留的ACDDi，并将计算结果作为计算下一低温胁迫处理阶段的FT的输入值；根据Po,max、PAR、Rd、ε和FT计算Pn。本发明可以更好模拟出不同持续时间低温胁迫对光合作用影响的差异。
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公开(公告)号：CN118211021A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410609191.5
申请日：2024-05-16
Applicant: 南京农业大学
Abstract: 本发明提供一种水稻冠层氮垂直分布特征模拟方法、系统及装置，方法包括如下步骤：获取所取水稻植株的观测数据；根据不同冠层叶片的叶片干重和不同冠层叶片的叶面积计算植株所有叶片的平均比叶重；根据单位面积种植水稻株数、取样株数和叶面积计算植株所有叶片的叶面积指数；根据植株所有叶片基于质量的平均氮含量和植株所有叶片的平均比叶重计算植株所有叶片基于面积的氮含量平均值；根据植株所有叶片的叶面积指数和植株所有叶片基于面积的氮含量平均值构建冠层垂直剖面叶片氮分布模型。本发明可以准确模拟KN在不同生育阶段、不同栽培条件及不同品种间的变化动态，进而更准确的模拟出水稻冠层氮垂直分布特征的动态变化。
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