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公开(公告)号：CN115527820A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210659516.1
申请日：2022-09-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙电子源及其制备方法，所述纳米间隙电子源，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度，电子在真空沟道内部以弹道输运或者隧穿的方式进行输运，且因真空沟道小于/接近电子在空气中的平均自由程，驱动电压小于分子的第一离子化势，所述器件无需严格真空封装也可正常工作。该结构拟突破传统电真空器件的技术瓶颈，结合现行半导体加工工艺，获得小型化和集成化的真空电子源，以期获得低工作电压、高输出电流、快速响应和无需严格真空封装的技术优势，在新型电子元器件和微纳加工工艺具有较高的应用潜力，为未来实现片上集成电子源、微焦点X射线管奠定技术基础。
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