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公开(公告)号：CN109932847A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910136937.4
申请日：2019-02-20
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G06F3/041 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法，属于液晶显示制造领域，本发明通过在源极、漏极和半导体层使用第一次半色调掩膜版，在有机绝缘层上使用第二次半色调掩膜版形成有机绝缘层凸起，在第一透明电极层和触控金属层使用第三次半色调掩膜版，减少了阵列基板在制造过程中的总的光罩使用数量，降低了生产成本，在有机绝缘层上形成凸起，保证后续制程具有一定的消耗余量，从而解决了有机绝缘层的底切问题，降低了第二绝缘层的破膜风险，提高了产品的信赖性，并且没有增加任何新的膜层以及制程工艺。
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公开(公告)号：CN109887883A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910114510.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制造方法，包括像素区和端子区；像素区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极，第一绝缘层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层、像素电极、第四过孔，像素电极通过第四过孔与漏极导通；端子区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、第五过孔，像素电极通过第五过孔与栅极导通。本发明通过像素区对光刻胶、第三绝缘层、第一绝缘层同时进行刻蚀，端子区对第三绝缘层、第一绝缘层、栅极绝缘层同时进行刻蚀，可以减少像素区对第一绝缘层、第二绝缘层和漏极表面过刻的影响，降低过孔处阻抗。
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公开(公告)号：CN109872973A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910038030.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，属于液晶显示制造领域，本发明通过将像素电极、半导体层、源极、漏极集成到一道掩膜版上，半导体层和像素电极层同层设置，并且同时形成，通过离子注入的方式，使得半导体像素电极导体化，最终实现减少掩膜版数量，提升生产效率，降低生产成本的目的。
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公开(公告)号：CN109727912A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910000889.6
申请日：2019-01-02
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1333 , G06F3/044
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法，属于液晶显示制造领域，本发明通过在源极、漏极和半导体层使用第一次半色调掩膜版，在第一透明电极层和触控金属层使用第二次半色调掩膜版，在有机绝缘层和第一绝缘层中使用一道光罩两次刻蚀，减少了阵列基板在制造过程中的总的光罩使用数量，同时提升显示面板的开口率，提高显示效果，同时能够降低生产成本，提升生产效率，同时可以减少光阻残留风险。
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公开(公告)号：CN107910365A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711006470.9
申请日：2017-10-25
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：栅极、半导体层、源极和漏极、以及，沟道区，位于源极和漏极之间、绝缘层，位于所述源极和漏极上方；其中，所述源极和漏极为多层结构，至少包括位于底部的下钛层、位于顶部的上钛层、以及位于所述下钛层与上钛层之间的铜层，所述下钛层与所述半导体层接触，所述铜层与绝缘层和半导体层均不接触。本发明的源极和漏极采用钛-铜-钛的金属结构，先沉积底层钛和铜，然后对铜层进行图案化，并进行适当过刻，保证顶层钛覆盖中间铜层，从而保护铜不被氯气的腐蚀。此外，形成源极和漏极时，不需额外开一道光罩，优化了生产工艺，节约了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599363B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811434044.X
申请日：2018-11-28
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法通过分段刻蚀使像素区域内的第一接触孔处的第一保护层和第二保护层形成不同的坡度角，同时通过分段刻蚀形成端子区域内的端子接触孔，该分段刻蚀工艺可以有效地减少第一接触孔处像素电极和源漏电极层之间的阻抗，提升阵列基板不同像素区域内该阻抗的均一性，并且有效解决了端子接触孔所需刻蚀量比第一接触孔所需刻蚀量更大所导致的像素电极爬坡状况不佳问题。
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公开(公告)号：CN110739271A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910980678.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明还提供一种阵列基板及其制造方法，阵列基板包括纵横交错的数据线和扫描线、薄膜晶体管和像素电极；薄膜晶体管包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、连接电极以及金属氧化物半导体层，其中，源极与金属氧化物半导体层接触，源极和连接电极分别位于金属氧化物半导体层的两侧，连接电极连接金属氧化物半导体层和像素电极。本发明阵列基板具有三个优点：第一，薄膜晶体管的沟道长度L不受曝光机的分辨率限制，而是由第一绝缘层和源极之间的对准精度决定沟道长度L的大小；第二，随着L缩小，栅极的宽度也跟着缩小，于是彩膜基板的黑矩阵在遮光区域会减小，透光区域会变大，从而开口率提高；第三，由于没有漏极，遮光区域减小，开口率增大。
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公开(公告)号：CN110647256A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910938192.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种In-cell触控面板的制造方法，In-cell触控面板包括像素区和端子区，通过在有机绝缘层上新增一层复合无机层，解决第二次半色调掩膜版过程中对有机绝缘层的刻蚀，形成有机绝缘层底切(Undercut)的问题，提升了产品品质，同时因为在第三金属层上新增了氧化物半导体材料层，使第一透明电极层在退火制程可以在光阻剥离后立即进行，而不必沉积绝缘层后再进行退火，降低了像素电极的退火制程所需时间和提升了像素电极的透过率，同时退火完成后氧化物半导体材料层又方便去除，对产品结构不带来其他影响，本发明有利于提升生产效率和产品品质，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109801929B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910306368.3
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/13 , G02F1/1362 , G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示领域，包括步骤：S1：利用第一半透掩膜版进行图案化并进行烘烤形成在第一叠层和第二叠层，第一叠层和第二叠层均依序为第一透明电极层、栅极和栅极保护层；所述栅极保护层在烘烤时用于防止栅极被氧化；S2：利用第二半透掩膜版形成栅极绝缘层、半导体层、第一接触孔以及第二接触孔；S3：利用掩膜版形成位于源极、漏极以及源漏极连接区；S4：利用第三半透掩膜版形成第一绝缘保护层、第二绝缘保护层、第三接触孔以及第四接触孔；S5：利用掩膜版形成位于第三接触孔和第四接触孔内的公共电极。在减少光罩降低成本的同时也能够很好地解决像素电极退火结晶时栅极金属铜发生氧化的问题。
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公开(公告)号：CN109659372B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910186789.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L29/786 , G02F1/1362 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及液晶显示领域，所述氧化物薄膜晶体管的制造方法结合现有的6Mask工艺（栅极→半导体层/源漏极→有机绝缘层→公共电极→第二绝缘层→像素电极），将公共电极（Com电极）构图于底层，并且公共电极和栅极采用一次构图完成以节省一道光罩制程（通过半透掩膜版多阶曝光实现），形成底Com架构，此外不需要有机绝缘膜，实现了4道光罩制程完成FFS阵列基板制造，同时使得薄膜晶体管像素区域的像素电极和公共电极的中间护层具有形成存储电容所需的合适护层厚度（2000Å‑8000Å）。
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