-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109659238B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910182679.3
申请日：2019-03-12
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提出了一种薄膜晶体管及其制造方法，属于薄膜晶体管领域；该薄膜晶体管包括：半导体材料层、第二电极、隔离层以及第一引出电极；半导体材料层由半导体材料形成，包括对半导体材料进行导体化形成的第一电极区和分别位于第一电极区两侧的第一半导区和第二半导区，第二电极与第一半导区的上表面接触，且与第一电极区不直接接触；隔离层覆盖第二电极和第二半导区，具有暴露出至少部分第一电极区上表面的第一接触孔；第一引出电极通过第一接触孔与第一电极区接触；本发明的薄膜晶体管通过半导体材料导体化所形成的第一电极区和不同层的第二电极构成薄膜晶体管的源极和漏极，实现超短沟道，并避免产生TFT器件特性恶化和较大的寄生电容。
-
公开(公告)号：CN109599363B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811434044.X
申请日：2018-11-28
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法通过分段刻蚀使像素区域内的第一接触孔处的第一保护层和第二保护层形成不同的坡度角，同时通过分段刻蚀形成端子区域内的端子接触孔，该分段刻蚀工艺可以有效地减少第一接触孔处像素电极和源漏电极层之间的阻抗，提升阵列基板不同像素区域内该阻抗的均一性，并且有效解决了端子接触孔所需刻蚀量比第一接触孔所需刻蚀量更大所导致的像素电极爬坡状况不佳问题。
-
公开(公告)号：CN109659238A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910182679.3
申请日：2019-03-12
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提出了一种薄膜晶体管及其制造方法，属于薄膜晶体管领域；该薄膜晶体管包括：半导体材料层、第二电极、隔离层以及第一引出电极；半导体材料层由半导体材料形成，包括对半导体材料进行导体化形成的第一电极区和分别位于第一电极区两侧的第一半导区和第二半导区，第二电极与第一半导区的上表面接触，且与第一电极区不直接接触；隔离层覆盖第二电极和第二半导区，具有暴露出至少部分第一电极区上表面的第一接触孔；第一引出电极通过第一接触孔与第一电极区接触；本发明的薄膜晶体管通过半导体材料导体化所形成的第一电极区和不同层的第二电极构成薄膜晶体管的源极和漏极，实现超短沟道，并避免产生TFT器件特性恶化和较大的寄生电容。
-
公开(公告)号：CN109300792A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811059303.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/471 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法对钝化层的工艺步骤进行改进，钝化层分两次成膜，钝化层包括氧化硅钝化层和其上的氮化硅钝化膜。退火制程位于氧化硅钝化层成膜后，且位于氮化硅钝化层成膜前；退火使得氧化硅致密化，增加了对氢离子扩散的阻挡作用，同时避免了在退火的高温过程中氮化硅钝化层中的氢离子加剧向有源层扩散，优化了薄膜晶体管的特性和均一性；本发明还公开了一种应用该制造方法制造的薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN109599363A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811434044.X
申请日：2018-11-28
Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/1259 , H01L27/124 , H01L27/1296
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法通过分段刻蚀使像素区域内的第一接触孔处的第一保护层和第二保护层形成不同的坡度角，同时通过分段刻蚀形成端子区域内的端子接触孔，该分段刻蚀工艺可以有效地减少第一接触孔处像素电极和源漏电极层之间的阻抗，提升阵列基板不同像素区域内该阻抗的均一性，并且有效解决了端子接触孔所需刻蚀量比第一接触孔所需刻蚀量更大所导致的像素电极爬坡状况不佳问题。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.096 seconds)
