公开(公告)号：CN114334851A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111625212.5

申请日：2021-12-27

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

Inventor： 胡文华

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种扇出型封装结构及其制备方法，扇出型封装结构包括：第一芯片；电学连接结构，电学连接结构包括第一焊盘、第二焊盘和引线，第一焊盘固定在第一芯片的背面，第二焊盘位于第一芯片的侧部周围，第二焊盘至第一芯片的正面的距离小于第一焊盘至第一芯片的正面的距离，引线的一端连接所述第一焊盘，引线的另一端连接所述第二焊盘；重布线结构，重布线结构位于第一芯片背向第一焊盘的一侧，第一芯片的正面与重布线结构电连接，第二焊盘和第一芯片位于重布线结构的同一侧且与重布线结构连接；塑封层；电学功能结构，电学功能结构设置在第一芯片背离重布线结构的一侧。所述扇出型封装结构简单、成本较低、可靠性高。

公开(公告)号：CN107342747B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201710498132.5

申请日：2017-06-27

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华

IPC: H03H9/10 ,  H01L41/053

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括：硅基板，所述硅基板包括设置在所述硅基板的第一表面上的连接焊盘和连接焊盘周围的介质层，设置在所述硅基板的第二表面上的封装焊盘和封装焊盘周围的介质层，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线和导电通孔；第一框架结构，所述第一框架结构设置在所述硅基板的第一表面上，并在所述硅基板的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及芯片，所述芯片设置在所述第一框架结构上，所述第一框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述硅基板、所述第一框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。

公开(公告)号：CN110649002A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910948434.7

申请日：2019-10-08

Applicant: 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华 ,  曹立强

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01Q1/22 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明提供一种集成天线的扇出型封装结构，包括：转接板，所述转接板包括微带天线结构阵列；贴装于所述转接板的芯片，所述芯片包括第二重布线结构；塑封体，所述塑封体将所述芯片包封起来；以及设置在所述塑封体上的第一重布线结构，所述第一重布线结构与所述芯片电连接。

公开(公告)号：CN107342746A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710498102.4

申请日：2017-06-27

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华

IPC: H03H9/10

CPC classification number: H03H9/1064

Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：重布线衬底，所述重布线衬底包括设置在所述重布线衬底的第一表面上的第一介质层，所述第一介质层具有用于设置封装焊盘的一个或多个窗口，设置在所述重布线衬底的第二表面上的第二介质层，所述第二介质层具有用于设置连接焊盘的一个或多个窗口，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线；框架结构，所述框架结构设置在所述重布线衬底的第二表面上，并在所述重布线衬底的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及芯片，所述芯片设置在所述框架结构上，所述框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述重布线衬底、所述框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。

公开(公告)号：CN109786271A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811640475.1

申请日：2018-12-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华 ,  陈峰 ,  孙鹏 ,  徐健

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了三维堆叠封装方法及结构，该方法包括：在第一载板的表面贴附导电结构和第一芯片，且导电结构的第一表面朝向第一载板；其中，导电结构具有贯通第一表面和第二表面的至少一根导电金属线，导电结构的第一表面依次设置有第一金属线路层和第一介质层；在第一载板的第一表面形成第一模封层；在第一模封层表面形成第二金属线路层；在第二金属线路层表面贴附第二芯片。本发明通过导电结构实现第二芯片的焊点扇出设置，导电结构第二表面预先设置了第一金属线路与内部导电金属线电连接，由于不涉及扇出工艺，当制作导电结构的载板采用无机介质时，第一金属线路能够做的足够细，从而当第二芯片的焊点较多且密集时，导电结构整体体积可以较小。

公开(公告)号：CN109802031A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811645476.5

申请日：2018-12-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华 ,  孙鹏 ,  徐健

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件的封装方法及结构，其中一种方法包括：在设置有临时键合层的载板表面形成金属层；在金属层上形成凸点和第一介质层，第一介质层包覆凸点侧壁的部分并露出凸点；将表面设置有第二介质层的声表面波器件设置在第一介质层表面，其中，第二介质层上设置有第一缺口以露出声表面波器件的焊盘和器件功能区；凸点位于声表面波器件的焊盘所对应的第一缺口内，并与声表面波器件的焊盘电连接。本发明通过声表面波器件与第一介质层之间的第二介质层形成器件功能区表面的空腔，并通过穿设于第一介质层和第二介质层中的凸点实现声表面波器件的焊盘与金属层的电连接，整个封装结构只需制作两层介质层，工序较为简单，成本较低。

公开(公告)号：CN107342747A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710498132.5

申请日：2017-06-27

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华

IPC: H03H9/10 ,  H01L41/053

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括：硅基板，所述硅基板包括设置在所述硅基板的第一表面上的连接焊盘和连接焊盘周围的介质层，设置在所述硅基板的第二表面上的封装焊盘和封装焊盘周围的介质层，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线和导电通孔；第一框架结构，所述第一框架结构设置在所述硅基板的第一表面上，并在所述硅基板的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及芯片，所述芯片设置在所述第一框架结构上，所述第一框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述硅基板、所述第一框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。

公开(公告)号：CN109802031B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201811645476.5

申请日：2018-12-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡文华 ,  孙鹏 ,  徐健

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件的封装方法及结构，其中一种方法包括：在设置有临时键合层的载板表面形成金属层；在金属层上形成凸点和第一介质层，第一介质层包覆凸点侧壁的部分并露出凸点；将表面设置有第二介质层的声表面波器件设置在第一介质层表面，其中，第二介质层上设置有第一缺口以露出声表面波器件的焊盘和器件功能区；凸点位于声表面波器件的焊盘所对应的第一缺口内，并与声表面波器件的焊盘电连接。本发明通过声表面波器件与第一介质层之间的第二介质层形成器件功能区表面的空腔，并通过穿设于第一介质层和第二介质层中的凸点实现声表面波器件的焊盘与金属层的电连接，整个封装结构只需制作两层介质层，工序较为简单，成本较低。

公开(公告)号：CN114068470A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111354586.8

申请日：2021-11-16

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

Inventor： 胡文华

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明涉及一种拓展球栅阵列封装I/O口的结构,包括：基板，所述基板具有第一面和与第一面相对的第二面；引线框架，其设置在所述基板的边缘并与所述基板通过焊接的方式连接；芯片，其倒装在所述基板上；散热盖，其贴装在所述基板的第一面上，且所述散热盖的四周粘结在引线框架的第一面上；以及焊球，其布置在所述基板的第二面和所述引线框架的第二面上的焊盘上。

公开(公告)号：CN112928107A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110118547.1

申请日：2021-01-28

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

Inventor： 胡文华 ,  曹立强

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种封装结构和半导体器件。半导体封装结构包括：第一封装单元，第一封装单元包括：塑封层；第一互联结构层，第一互联结构层位于塑封层一侧表面，第一互联结构层包括第一金属层；第二互联结构层，第二互联结构层位于塑封层背向第一互联结构层一侧表面，第二互联结构层包括第二金属层；第一芯片，第一芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第一芯片连接第一金属层，塑封层包覆第一芯片；转接板，转接板位于塑封层中，转接板延展的平面垂直于第一互联结构层且垂直于第二互联结构层，转接板内具有转接板金属层，转接板金属层分别连接第一金属层和第二金属层。