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公开(公告)号：CN119208382B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411620988.1
申请日：2024-11-14
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括第一衬底、栅极、漏极、源极和场板区；其中，所述栅极和场板区设置于所述第一衬底上表面；所述栅极下方的第一衬底内形成沟道区，所述场板区下方部分的第一衬底内形成漂移区；所述源极设置于所述沟道区内；所述漏极设置于所述漂移区内；在所述沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，在所述漂移区与场板区接触位置设置有锯齿结构。本发明提供的一种LDMOS器件，通过在沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，同时在漂移区与场板区接触位置设置锯齿结构，可以对LDMOS器件的电场进行调控，使得器件内部电场分布更为均匀，同时可以有效降低电场峰值，提高器件耐压性能。
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公开(公告)号：CN117238847B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311500407.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本申请提供了一种接触孔制备方法、半导体器件及集成电路板，涉及半导体技术领域，解决了制备小尺寸接触孔时对光刻机、技术手段的要求高而使得生产成本提高的问题，本方案能够利用低成本、低精度的光刻机实现对小尺寸接触孔的制备，有效地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN116364553A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310645248.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/266 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括：提供一基底；在基底上表面形成具有离子注入窗口的光阻层；通过离子注入窗口对基底进行第一离子注入，得到第一子漂移区；在第一子漂移区上表面依次层叠设置至少一个第二子漂移区，形成漂移区，漂移区包括第一子漂移区和至少一个第二子漂移区。本方案可以提高半导体器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117238847A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311500407.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本申请提供了一种接触孔制备方法、半导体器件及集成电路板，涉及半导体技术领域，解决了制备小尺寸接触孔时对光刻机、技术手段的要求高而使得生产成本提高的问题，本方案能够利用低成本、低精度的光刻机实现对小尺寸接触孔的制备，有效地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117976724B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410391313.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS器件及制备方法，所述器件包括：源极、漏极、多晶栅极、栅极氧化层、环形场板氧化层、体区、第一漂移区和第二漂移区；多晶栅极包括位于沟道区域上方的平面部分和位于漂移区区域上方的凹槽圆弧部分；源极位于沟道区域的起始端，与体区连接；漏极位于沟道区域的终止端，与第二漂移区连接；在凹槽圆弧部分下方依次嵌套环形场板氧化层、第一漂移区和第二漂移区；其中，第一漂移区内为N型均匀掺杂，掺杂浓度保持一致；第二漂移区内为N型非均匀掺杂，掺杂浓度沿衬底方向依次递减。本发明提供的一种LDMOS器件及制备方法，可以提高LDMOS器件的源漏耐压能力，降低源漏比导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116959994A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311221044.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种双T结构的LDMOS器件制备方法，包括：提供一衬底，且在所述衬底上沉积外延层；在所述外延层上形成用于作为场板的厚介质层，以及形成靠近所述厚介质层的栅氧层；在所述厚介质层上形成T型场板区，以及在所述栅氧层上形成T型多晶硅栅；在所述T型场板区上形成目标互连区。本申请在提高器件耐压等级的同时，维持器件较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119208382A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411620988.1
申请日：2024-11-14
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括第一衬底、栅极、漏极、源极和场板区；其中，所述栅极和场板区设置于所述第一衬底上表面；所述栅极下方的第一衬底内形成沟道区，所述场板区下方部分的第一衬底内形成漂移区；所述源极设置于所述沟道区内；所述漏极设置于所述漂移区内；在所述沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，在所述漂移区与场板区接触位置设置有锯齿结构。本发明提供的一种LDMOS器件，通过在沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，同时在漂移区与场板区接触位置设置锯齿结构，可以对LDMOS器件的电场进行调控，使得器件内部电场分布更为均匀，同时可以有效降低电场峰值，提高器件耐压性能。
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公开(公告)号：CN117219675B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311482359.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件结构及其制备方法，衬底层、埋氧层和器件层沿第一方向从下到上依次堆叠，器件层包括器件区和介质区；介质区沿第二方向分布于器件区两侧，器件区中的源极区设置于沟道区的凹形区域内并显露于器件区表面，设置贯穿源极区与沟道区连接的体区；漏极区设置于漂移区的凹形区域内并显露于器件区表面，栅极区位于沟道区的表面上方靠近源极区的位置；介质区包括介质层、场板层和场板控制端，场板层沿第二方向对称设置于漂移区两侧靠近漏极区的位置，场板控制端覆盖场板层并填充场板层在介质层内形成的空隙，介质层包裹沟道区的两侧。本发明通过设置场板层在器件漂移区的侧面，实现高耐压低导通电阻，同时降低栅漏寄生电容。
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公开(公告)号：CN116959994B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311221044.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种双T结构的LDMOS器件制备方法，包括：提供一衬底，且在所述衬底上沉积外延层；在所述外延层上形成用于作为场板的厚介质层，以及形成靠近所述厚介质层的栅氧层；在所述厚介质层上形成T型场板区，以及在所述栅氧层上形成T型多晶硅栅；在所述T型场板区上形成目标互连区。本申请在提高器件耐压等级的同时，维持器件较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN117976724A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410391313.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 华南理工大学 , 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS器件及制备方法，所述器件包括：源极、漏极、多晶栅极、栅极氧化层、环形场板氧化层、体区、第一漂移区和第二漂移区；多晶栅极包括位于沟道区域上方的平面部分和位于漂移区区域上方的凹槽圆弧部分；源极位于沟道区域的起始端，与体区连接；漏极位于沟道区域的终止端，与第二漂移区连接；在凹槽圆弧部分下方依次嵌套环形场板氧化层、第一漂移区和第二漂移区；其中，第一漂移区内为N型均匀掺杂，掺杂浓度保持一致；第二漂移区内为N型非均匀掺杂，掺杂浓度沿衬底方向依次递减。本发明提供的一种LDMOS器件及制备方法，可以提高LDMOS器件的源漏耐压能力，降低源漏比导通电阻。
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