公开(公告)号：CN102856513B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210283839.1

申请日：2012-08-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 汪青 ,  彭俊彪 ,  王坚 ,  陈亚文 ,  艾娜 ,  韩绍虎 ,  董婷 ,  胡典钢

IPC: H01L51/56

Abstract: 一种提高有机电致发光器件性能的阳极修饰方法，用溶剂对空穴注入层进行接触处理。本发明利用溶剂对聚合物电致发光器件的空穴注入层进行简单的接触处理，可以提高空穴注入势垒，从而在阳极一侧有效阻挡空穴，实现有机发光层内电子和空穴的平衡，最终在不牺牲工作电压的基础上显著提高器件的亮度、效率和稳定性。

公开(公告)号：CN102856513A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210283839.1

申请日：2012-08-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 汪青 ,  彭俊彪 ,  王坚 ,  陈亚文 ,  艾娜 ,  韩绍虎 ,  董婷 ,  胡典钢

IPC: H01L51/56

Abstract: 一种提高有机电致发光器件性能的阳极修饰方法，用溶剂对空穴注入层进行接触处理。本发明利用溶剂对聚合物电致发光器件的空穴注入层进行简单的接触处理，可以提高空穴注入势垒，从而在阳极一侧有效阻挡空穴，实现有机发光层内电子和空穴的平衡，最终在不牺牲工作电压的基础上显著提高器件的亮度、效率和稳定性。

公开(公告)号：CN1688182A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN200510033732.1

申请日：2005-03-25

Applicant: 华南理工大学 ,  信利半导体有限公司

Inventor： 彭俊彪 ,  曹镛 ,  韩绍虎 ,  孟庆见

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明公开了一种高分子点阵发光显示屏的制备方法。本发明的方法包括如下步骤：(1)在衬底上制备出隔离墙；(2)在这种具有隔离墙的衬底基础上，直接采用溶液旋涂、印刷或喷涂的方法制备高分子薄膜；(3)在所制备的高分子薄膜上直接真空加热蒸镀金属电极，即制成了高分子点阵发光显示屏。与已有技术相比，本发明是在具有隔离墙衬底上用旋转涂覆和印刷方法制备均匀高分子薄膜，进而实现高分子点阵显示屏。这种工艺路线的优点是能够不用阴极模板，容易实现大面积高分辨率点阵显示屏。