一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法

    公开(公告)号:CN108649916A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810360564.4

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明属于薄膜体声波谐振器的技术领域,公开了一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法。所述薄膜体声波谐振器包括衬底,衬底上依次设置有背电极和压电层,衬底的表面设有凹槽,背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔,压电层设有通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电层上设有顶电极,通孔的另一侧以及通孔中设有背电极材料。背电极引出方法主要是在压电薄膜上制备通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料,背电极通过通孔引出。本发明免去了大面积刻蚀压电薄膜,对薄膜损伤较小;通孔引出电极易覆盖;且本发明可减小器件尺寸,降低功耗和提升性能。

    一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法

    公开(公告)号:CN108649916B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201810360564.4

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明属于薄膜体声波谐振器的技术领域,公开了一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法。所述薄膜体声波谐振器包括衬底,衬底上依次设置有背电极和压电层,衬底的表面设有凹槽,背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔,压电层设有通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电层上设有顶电极,通孔的另一侧以及通孔中设有背电极材料。背电极引出方法主要是在压电薄膜上制备通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料,背电极通过通孔引出。本发明免去了大面积刻蚀压电薄膜,对薄膜损伤较小;通孔引出电极易覆盖;且本发明可减小器件尺寸,降低功耗和提升性能。

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