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公开(公告)号:CN114609208B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202210051669.8
申请日:2022-01-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/48 , C23C16/30 , C23C16/455 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种表面修饰硫化钴的氢氧化镍复合电极、非酶电化学葡萄糖传感器及其制备方法和应用;本发明通过把导电三维基底泡沫镍浸泡在盐酸溶液中,超声处理后,用去离子水冲洗干净,真空干燥处理原位生长氢氧化镍纳米片阵列;通过原子层沉积技术在原位生长氢氧化镍纳米片阵列的泡沫镍的表面修饰一层硫化钴薄膜,得到所述表面修饰硫化钴的氢氧化镍复合电极。本发明提供的复合电极用于葡萄糖氧化催化活性检测时,在0.1mA/cm2的电流密度下电位减少约0.15V;用于葡萄糖感测性能检测时,其线性灵敏度是未修饰电极的2.1292倍;用于选择性测试时,在14种血糖干扰物测试中电流几乎无变化,具有优异的选择性。
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公开(公告)号:CN114609208A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202210051669.8
申请日:2022-01-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/48 , C23C16/30 , C23C16/455 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种表面修饰硫化钴的氢氧化镍复合电极、非酶电化学葡萄糖传感器及其制备方法和应用;本发明通过把导电三维基底泡沫镍浸泡在盐酸溶液中,超声处理后,用去离子水冲洗干净,真空干燥处理原位生长氢氧化镍纳米片阵列;通过原子层沉积技术在原位生长氢氧化镍纳米片阵列的泡沫镍的表面修饰一层硫化钴薄膜,得到所述表面修饰硫化钴的氢氧化镍复合电极。本发明提供的复合电极用于葡萄糖氧化催化活性检测时,在0.1mA/cm2的电流密度下电位减少约0.15V;用于葡萄糖感测性能检测时,其线性灵敏度是未修饰电极的2.1292倍;用于选择性测试时,在14种血糖干扰物测试中电流几乎无变化,具有优异的选择性。
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