公开(公告)号：CN102969393A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210401751.5

申请日：2012-10-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 苏仕健 ,  江志雄 ,  周军红 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: H01L31/18 ,  H01L51/56 ,  H01J9/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基底上ITO薄膜图案化方法，包括以下步骤：（1）在基底上沉积好一层ITO薄膜；（2）将贴膜紧密地贴合于步骤（1）的ITO薄膜之上，并且去除贴膜与ITO薄膜之间的气泡，其中贴膜为被图案化的；（3）通过湿法刻蚀去除步骤（2）中没有被贴膜保护到ITO薄膜部分；（4）撕去贴膜，得到图案化ITO薄膜。本发明ITO薄膜图案化方法具有步骤简单、成本低等优点，并且适合在柔性基底上使用，能够有效的防止由于柔性基底卷曲而导致ITO薄膜被刻花以及出现断路和短路的现象。