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公开(公告)号：CN115101232B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210535096.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于ZnO压敏电阻的绝缘材料及绝缘处理方法。本发明的用于ZnO压敏电阻的绝缘材料的组成包括磷酸二氢锌、磷酸、钼酸钠、表面活性剂、乳化剂和酒石酸。本发明的用于ZnO压敏电阻的绝缘处理方法包括以下步骤：1)将ZnO压敏电阻清洗后用草酸溶液浸泡，再烘干；2)将绝缘材料加水分散制成处理液；3)将步骤1)处理过的ZnO压敏电阻用处理液浸泡，再烘干后进行热处理。本发明的绝缘材料的绝缘效果好，用其进行多层片式ZnO压敏电阻器的表面绝缘处理具有操作简单、成本低、能够进行批量处理、效率高等优点，形成的表面绝缘层均匀、外观良好、绝缘效果好，电阻元件处理前后的电性能变化小，适合进行实际生产。
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公开(公告)号：CN118324180A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410418538.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钇稳定氧化锆纳米颗粒球形聚集体及其制备方法和应用。本发明的钇稳定氧化锆纳米颗粒球形聚集体的制备方法包括以下步骤：1)将碱式碳酸锆、纳米氧化钇或/和钇盐、粘结剂、分散剂、消泡剂和水混合进行湿法球磨，并调节浆料的pH值至碱性，得到陶瓷浆料；2)将陶瓷浆料进行喷雾造粒，再进行煅烧，即得钇稳定氧化锆纳米颗粒球形聚集体。本发明的钇稳定氧化锆纳米颗粒球形聚集体的球形度高、粒径分布符合正态分布、成分均匀，且其制备方法操作简便、效率高、成本低，适合进行大规模工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN115101232A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210535096.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于ZnO压敏电阻的绝缘材料及绝缘处理方法。本发明的用于ZnO压敏电阻的绝缘材料的组成包括磷酸二氢锌、磷酸、钼酸钠、表面活性剂、乳化剂和酒石酸。本发明的用于ZnO压敏电阻的绝缘处理方法包括以下步骤：1)将ZnO压敏电阻清洗后用草酸溶液浸泡，再烘干；2)将绝缘材料加水分散制成处理液；3)将步骤1)处理过的ZnO压敏电阻用处理液浸泡，再烘干后进行热处理。本发明的绝缘材料的绝缘效果好，用其进行多层片式ZnO压敏电阻器的表面绝缘处理具有操作简单、成本低、能够进行批量处理、效率高等优点，形成的表面绝缘层均匀、外观良好、绝缘效果好，电阻元件处理前后的电性能变化小，适合进行实际生产。
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