一种二维g-C3N4纳米片膜及其电化学制备方法与在离子分离中的应用

    公开(公告)号:CN114592197B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202210063648.8

    申请日:2022-01-20

    Inventor: 薛健 张娅 王海辉

    Abstract: 本发明公开一种二维g‑C3N4纳米片膜及其电化学制备方法。该制备方法,包括如下步骤:为(1~3)g:(0.5~1)g:(50~100)mL混合均匀,作为电解液;以铂片为电极,电压的大小为3~10V的直流电源,通电反应1~3h,将反应后的电解液经离心、透析处理,获得g‑C3N4纳米片溶液;(2)将处理过的有孔基底放在U型槽的中间固定,在两端插入碳板作为电极,U型槽的一侧加入g‑C3N4纳米片溶液,另一侧加入超纯水,通电进行(1)将三聚氰胺、氢氧化钠与水按照质量体积比(56)对比文件Qiujun Lu等.One-step electrochemicalsynthesis of ultrathin graphitic carbonnitride nanosheets and its application tothe detection of uric acid《.The RoyalSociety of Chemistry》.2015,第1-5页.

    一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112897484A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110051238.7

    申请日:2021-01-14

    Inventor: 薛健 周燚洒 张娅

    Abstract: 本发明公开了一种无缺陷的g‑C3N4纳米片、二维g‑C3N4纳米片膜及制备方法与应用。制备步骤如下:三聚氰胺和磷酸溶于水中,水热处理,过滤后通过多元醇和乙醇的混合物作为插入剂加热回流处理层状微棒前体;清洗干燥后在惰性气氛中加热烧结,得到无缺陷的g‑C3N4纳米片;然后再分散在溶剂中,利用简单的真空抽滤的方式将纳米片沉积于基底得到可用于气体分离的二维g‑C3N4纳米片膜。本发明组装的膜展现出优异的气体分离性能,氢气透量可达7.23×10‑7mol m‑2s‑1Pa‑1,应用于氢气与不同动力学直径的气体分子的分离,H2/CO2选择性可达30.2,H2/C3H6选择性过百,具有广阔的应用前景。

    一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112897484B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202110051238.7

    申请日:2021-01-14

    Inventor: 薛健 周燚洒 张娅

    Abstract: 本发明公开了一种无缺陷的g‑C3N4纳米片、二维g‑C3N4纳米片膜及制备方法与应用。制备步骤如下:三聚氰胺和磷酸溶于水中,水热处理,过滤后通过多元醇和乙醇的混合物作为插入剂加热回流处理层状微棒前体;清洗干燥后在惰性气氛中加热烧结,得到无缺陷的g‑C3N4纳米片;然后再分散在溶剂中,利用简单的真空抽滤的方式将纳米片沉积于基底得到可用于气体分离的二维g‑C3N4纳米片膜。本发明组装的膜展现出优异的气体分离性能,氢气透量可达7.23×10‑7mol m‑2s‑1Pa‑1,应用于氢气与不同动力学直径的气体分子的分离,H2/CO2选择性可达30.2,H2/C3H6选择性过百,具有广阔的应用前景。

    一种二维g-C3N4纳米片膜及其电化学制备方法与在离子分离中的应用

    公开(公告)号:CN114592197A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210063648.8

    申请日:2022-01-20

    Inventor: 薛健 张娅 王海辉

    Abstract: 本发明公开一种二维g‑C3N4纳米片膜及其电化学制备方法。该制备方法,包括如下步骤:(1)将三聚氰胺、氢氧化钠与水按照质量体积比为(1~3)g:(0.5~1)g:(50~100)mL混合均匀,作为电解液;以铂片为电极,电压的大小为3~10V的直流电源,通电反应1~3h,将反应后的电解液经离心、透析处理,获得g‑C3N4纳米片溶液;(2)将处理过的有孔基底放在U型槽的中间固定,在两端插入碳板作为电极,U型槽的一侧加入g‑C3N4纳米片溶液,另一侧加入超纯水,通电进行电泳沉积,沉积完成后,取出基底,进行干燥处理,获得二维g‑C3N4纳米片膜。该二维g‑C3N4纳米片膜对离子具有较高的拦截效果。

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