一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112897484B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202110051238.7

    申请日:2021-01-14

    Inventor: 薛健 周燚洒 张娅

    Abstract: 本发明公开了一种无缺陷的g‑C3N4纳米片、二维g‑C3N4纳米片膜及制备方法与应用。制备步骤如下:三聚氰胺和磷酸溶于水中,水热处理,过滤后通过多元醇和乙醇的混合物作为插入剂加热回流处理层状微棒前体;清洗干燥后在惰性气氛中加热烧结,得到无缺陷的g‑C3N4纳米片;然后再分散在溶剂中,利用简单的真空抽滤的方式将纳米片沉积于基底得到可用于气体分离的二维g‑C3N4纳米片膜。本发明组装的膜展现出优异的气体分离性能,氢气透量可达7.23×10‑7mol m‑2s‑1Pa‑1,应用于氢气与不同动力学直径的气体分子的分离,H2/CO2选择性可达30.2,H2/C3H6选择性过百,具有广阔的应用前景。

    一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112897484A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110051238.7

    申请日:2021-01-14

    Inventor: 薛健 周燚洒 张娅

    Abstract: 本发明公开了一种无缺陷的g‑C3N4纳米片、二维g‑C3N4纳米片膜及制备方法与应用。制备步骤如下:三聚氰胺和磷酸溶于水中,水热处理,过滤后通过多元醇和乙醇的混合物作为插入剂加热回流处理层状微棒前体;清洗干燥后在惰性气氛中加热烧结,得到无缺陷的g‑C3N4纳米片;然后再分散在溶剂中,利用简单的真空抽滤的方式将纳米片沉积于基底得到可用于气体分离的二维g‑C3N4纳米片膜。本发明组装的膜展现出优异的气体分离性能,氢气透量可达7.23×10‑7mol m‑2s‑1Pa‑1,应用于氢气与不同动力学直径的气体分子的分离,H2/CO2选择性可达30.2,H2/C3H6选择性过百,具有广阔的应用前景。

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