-
公开(公告)号：CN113481480A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754555.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种低应力绝缘阻隔耐腐蚀涂层制备方法，包括：采用气体等离子体源对基片进行等离子体清洗；调整每组中的两个溅射阴极各自角度位置至对应的预设溅射角度，以及调整每组中的两个溅射阴极各自靶材的高度位置；通入反应气体进行溅射，并通过移动基片以形成单层厚度涂层，以及调整每组中的两个溅射阴极的高度并反向移动基片以在单层厚度涂层的表面上形成另一单层厚度涂层，且往复交替动作后，以在基片上沉积形成预设厚度涂层。本发明通过改变溅射阴极的溅射角度，以及交替沉积的方式，降低了相邻单层厚度涂层之间的内应力，为制备低应力涂层提供了条件，同时提高了沉积速率、绝缘阻隔性和耐腐蚀性，以及具有良好的包覆性。
Search Results
1
records
(took 0.011 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
