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公开(公告)号:CN112481656B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202011377241.X
申请日:2020-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B3/23 , C25B3/07 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了高选择性电催化甘油氧化转化产甲酸和高效电解水产氢的双功能催化剂及其制备方法与应用。该方法包括:在导电三维衬底上电沉积Ni/Ni(OH)2;然后浸泡在乙酸钴溶液中进行阳离子交换,取出,得到所述双功能催化剂。该方法采用电沉积技术复合阳离子交换策略,制备过程简单可行。本发明提供的电催化剂具有高选择性电催化甘油氧化转化生产甲酸性能及高效电解水产氢活性,在甘油氧化反应中,在100mA/cm2的电流密度下的电位为1.349V,甲酸选择率为94.3%,且在100mA/cm2下持续电解90小时,电位几乎无衰减。在氢析出反应中,在100mA/cm2的电流密度下的电位为‑0.206V。
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公开(公告)号:CN113235122B
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202110449101.7
申请日:2021-04-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种通过深度自重构构建Mo掺杂过渡金属氢氧化物电催化剂及其制备方法与应用。该方法包括:将MoS2纳米片阵列在过电位条件下进行活化,然后浸泡在过渡金属盐溶液中进行离子吸附,接着通过循环伏安扫描法进行深度自重构,得到该催化剂。该方法中,原料价格低廉,无需高温烧结,生产过程耗能较少,生产成本低;该方法采用过渡金属离子吸附策略和电化学自重构策略,制备过程简单,适用于大规模生产。本发明提供的深度自重构Mo掺杂过渡金属氢氧化物电催化剂具有优异的氧析出反应本征活性,在10mA/cm2的电流密度下的过电位为242mV,在300mV过电位下的质量活性电流密度为1910A/g。
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公开(公告)号:CN113235122A
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202110449101.7
申请日:2021-04-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种通过深度自重构构建Mo掺杂过渡金属氢氧化物电催化剂及其制备方法与应用。该方法包括:将MoS2纳米片阵列在过电位条件下进行活化,然后浸泡在过渡金属盐溶液中进行离子吸附,接着通过循环伏安扫描法进行深度自重构,得到该催化剂。该方法中,原料价格低廉,无需高温烧结,生产过程耗能较少,生产成本低;该方法采用过渡金属离子吸附策略和电化学自重构策略,制备过程简单,适用于大规模生产。本发明提供的深度自重构Mo掺杂过渡金属氢氧化物电催化剂具有优异的氧析出反应本征活性,在10mA/cm2的电流密度下的过电位为242mV,在300mV过电位下的质量活性电流密度为1910A/g。
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公开(公告)号:CN112481656A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202011377241.X
申请日:2020-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B3/23 , C25B3/07 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了高选择性电催化甘油氧化转化产甲酸和高效电解水产氢的双功能催化剂及其制备方法与应用。该方法包括:在导电三维衬底上电沉积Ni/Ni(OH)2;然后浸泡在乙酸钴溶液中进行阳离子交换,取出,得到所述双功能催化剂。该方法采用电沉积技术复合阳离子交换策略,制备过程简单可行。本发明提供的电催化剂具有高选择性电催化甘油氧化转化生产甲酸性能及高效电解水产氢活性,在甘油氧化反应中,在100mA/cm2的电流密度下的电位为1.349V,甲酸选择率为94.3%,且在100mA/cm2下持续电解90小时,电位几乎无衰减。在氢析出反应中,在100mA/cm2的电流密度下的电位为‑0.206V。
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公开(公告)号:CN111589459A
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN202010204952.0
申请日:2020-03-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高效电解水的双功能催化剂及其制备方法与应用。该方法包括:将三维纳米结构模板在过电位条件下进行活化;将活化后的三维纳米结构模版浸泡在过渡金属盐溶液中进行离子吸附处理,取出,得到所述高效电解水的双功能催化剂。本发明提供的高效电解水的双功能催化剂原料价格低廉,无需高温烧结,生产过程耗能较少,生产成本低;该方法采用过渡金属离子吸附策略,制备过程简单,适用于大规模生产。本发明提供的高效电解水的双功能催化剂具有高效的电解水分解性能,在氢析出反应中,在10mA/cm2的电流密度下的过电位为139 mV,在氧析出反应中,在10mA/cm2的电流密度下的过电位为239 mV。
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