基于MXene量子点的分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119286499A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411019529.8

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明公开了基于MXene量子点的分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用。该分子印迹比率荧光传感器是由蓝色荧光MXene量子点(BMQDs)、橙色荧光MXene量子点(OMQDs)、组胺、APTES和TEOS聚合得到的核壳结构聚合物,OMQDs用二氧化硅层包覆得OMQDs@SiO2,组胺、APTES和TEOS等合成印迹层接枝在OMQDs@SiO2外层,BMQDs镶嵌在印迹层,得到分子印迹比率荧光传感器。本发明制备出高量子产率的蓝/橙MXene量子点,结合分子印迹技术,构建了仅基于MXene量子点的分子印迹比率荧光传感器,合成方法简单,结合智能手机可实现对组胺的特异性识别和快速智能可视化检测。

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