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公开(公告)号：CN109881176A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910177031.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种花瓣状的二硫化钼二维晶体材料及其制备方法和应用。该方法采用常压化学气相沉积法，在惰性气体环境下，通过加热反应物发生化学反应，在衬底上生长花瓣状的二硫化钼二维晶体材料。本发明具有简单易行，操作方便的优点。实验流程便于控制反应物的量，在大面积范围中实现反应物钼源的均匀供给。制备产物形貌特征可控，性能稳定，结晶性好，可进一步用于制备具有高灵敏度，重复性好的SERS传感器，实现对有机分子的快速痕量检测。
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公开(公告)号：CN113699594B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110770628.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 华南农业大学
IPC: C30B29/46 , B22F1/18 , B22F1/054 , C23C14/08 , C23C14/24 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B28/14 , G01N21/65
Abstract: 本发明属于半导体二维纳米晶体材料及表面拉曼增强散射技术领域，公开了一种雪花状的二硫化钨二维晶体材料、SERS传感器及其制备方法和应用。采用真空镀膜技术在生成物衬底上蒸镀一层WOX薄膜并将其作为生长基片，然后采用常压化学气相沉积法，在高温、惰性气体的环境下与硫源前驱体发生反应，在生长基片上制备出雪花状的二硫化钨二维晶体材料。由于该二维晶体材料的形貌特殊，其可与纳米金颗粒发生自组装，进而制备出高性能的WS2@Au基的SERS传感器。本发明具有实验步骤精简、成本低廉等优点，所制备出的SERS传感器具有高稳定性、强拉曼增强能力，可用于对微量有机分子的无损痕量测定。
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公开(公告)号：CN113699594A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110770628.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明属于半导体二维纳米晶体材料及表面拉曼增强散射技术领域，公开了一种雪花状的二硫化钨二维晶体材料、SERS传感器及其制备方法和应用。采用真空镀膜技术在生成物衬底上蒸镀一层WOX薄膜并将其作为生长基片，然后采用常压化学气相沉积法，在高温、惰性气体的环境下与硫源前驱体发生反应，在生长基片上制备出雪花状的二硫化钨二维晶体材料。由于该二维晶体材料的形貌特殊，其可与纳米金颗粒发生自组装，进而制备出高性能的WS2@Au基的SERS传感器。本发明具有实验步骤精简、成本低廉等优点，所制备出的SERS传感器具有高稳定性、强拉曼增强能力，可用于对微量有机分子的无损痕量测定。
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公开(公告)号：CN109881176B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910177031.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种花瓣状的二硫化钼二维晶体材料及其制备方法和应用。该方法采用常压化学气相沉积法，在惰性气体环境下，通过加热反应物发生化学反应，在衬底上生长花瓣状的二硫化钼二维晶体材料。本发明具有简单易行，操作方便的优点。实验流程便于控制反应物的量，在大面积范围中实现反应物钼源的均匀供给。制备产物形貌特征可控，性能稳定，结晶性好，可进一步用于制备具有高灵敏度，重复性好的SERS传感器，实现对有机分子的快速痕量检测。
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