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公开(公告)号：CN112865557B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110270520.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本发明的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112821732A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110268673.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，所述驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；所述脉冲隔离模块的输出端与所述脉冲处理模块的输入端连接，所述脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本发明采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。
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公开(公告)号：CN112821732B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110268673.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，所述驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；所述脉冲隔离模块的输出端与所述脉冲处理模块的输入端连接，所述脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本发明采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。
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公开(公告)号：CN112865557A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110270520.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本发明的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。
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公开(公告)号：CN214591132U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120523289.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M1/088
Abstract: 本实用新型公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；脉冲隔离模块的输出端与脉冲处理模块的输入端连接，脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本实用新型采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。
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公开(公告)号：CN214315072U
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202120523077.2
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本实用新型公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本实用新型的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。
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