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公开(公告)号:CN108962535A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810647241.3
申请日:2018-06-22
Applicant: 华北电力大学 , 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于铁基涂层超导片的超导磁体。超导片和绝缘片可采用圆环形、跑道形或D形片状结构,且两者尺寸大小均相同;绝缘片和超导片交替布置;在超导磁体上下加法兰,并通过绝缘拉杆连接固定。本发明采用超导片,省去了弯曲和绕制环节,制造方便,结构简单,无弯曲半径限制;在形成超导磁体的过程中只是简单堆叠,无变形,对超导材料的通流能力影响很小。在需要更强磁场的场合,将外半径略小于内半径的超导磁体进行组合嵌套。本发明采用液氮提供低温环境,使用杜瓦容器调节温度,采用磁通泵技术对超导磁体励磁,结合高温超导铁基涂层导体、低温液氮冷却和磁通泵三者优势,超导磁体不仅能够产生强磁场,而且还具有功耗小、效率高、结构简单、操作简便的优点。
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公开(公告)号:CN110060864B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201910307932.3
申请日:2019-04-17
Applicant: 华北电力大学 , 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/04 , H01F41/061 , H01F41/074 , H01F6/06 , C23C22/73 , C23C22/68 , C23C22/50
Abstract: 本发明公开了属于超导磁体技术领域的一种提高无绝缘高温超导双饼线圈横向电阻率的方法。该方法是采用高温超导带材和提高横向电阻率的不锈钢带并联绕制,并且两者长度和宽度尺寸大小相同;其中不锈钢带经热处理和化学处理,在不锈钢表面形成高电阻率的阻挡层,在超导带与提高横向电阻率的不锈钢带之间,形成一层含有氧化铁和硫酸铁的高电阻率层,厚度相对不锈钢带厚度而言可忽略不计,不锈钢带经处理后横向电阻率增强,产生的交流损耗、屏蔽电流都会大大减小;同时当线圈失超时,不锈钢带电阻率增强后,大大降低了热点流过的电流强度,从而降低热点温升,减小失超对超导材料的破坏,提高无绝缘双饼线圈的稳定性。
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公开(公告)号:CN119989615A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202411818885.6
申请日:2024-12-11
IPC: G06F30/20 , G06T17/20 , G06F113/04
Abstract: 本发明涉及一种开关设备的电磁波衰减特性分析方法和存储介质。方法为:根据开关设备的实际结构和尺寸参数,建立三维几何模型;对三维几何模型的材料和物理参数进行设定;对三维几何模型进行电磁多物理场的边界进行设置;对三维几何模型进行网格划分;对电磁波在三维几何模型中的多物理场的传播过程进行仿真,得到衰减特性和波形频谱图。与现有技术相比,本发明具有对开关设备内部复杂结构和多种介质进行建模,结合多物理场耦合仿真,精确模拟电磁波在多层介质中的衰减特性,提高了对电磁波传播过程的理解,更好地捕捉开关设备中的电磁环境变化;综合考虑了电磁场之间的耦合作用,准确模拟了开关设备内部的多物理场交互关系等优点。
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公开(公告)号:CN110060864A
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201910307932.3
申请日:2019-04-17
Applicant: 华北电力大学 , 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/04 , H01F41/061 , H01F41/074 , H01F6/06 , C23C22/73 , C23C22/68 , C23C22/50
Abstract: 本发明公开了属于超导磁体技术领域的一种提高无绝缘高温超导双饼线圈横向电阻率的方法。该方法是采用高温超导带材和提高横向电阻率的不锈钢带并联绕制,并且两者长度和宽度尺寸大小相同;其中不锈钢带经热处理和化学处理,在不锈钢表面形成高电阻率的阻挡层,在超导带与提高横向电阻率的不锈钢带之间,形成一层含有氧化铁和硫酸铁的高电阻率层,厚度相对不锈钢带厚度而言可忽略不计,不锈钢带经处理后横向电阻率增强,产生的交流损耗、屏蔽电流都会大大减小;同时当线圈失超时,不锈钢带电阻率增强后,大大降低了热点流过的电流强度,从而降低热点温升,减小失超对超导材料的破坏,提高无绝缘双饼线圈的稳定性。
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公开(公告)号:CN117406052A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311323680.6
申请日:2023-10-13
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置,属于功率半导体技术领域,该方法包括:获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数kV、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数kR;获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I;获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’;根据kV、kR、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况,可操作性强,能够降低I GBT模块各芯片的获取难度,能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。
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公开(公告)号:CN116995045A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202311022874.2
申请日:2023-08-15
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构,属于功率半导体技术领域,该功率半导体器件包括主体,所述主体内设有芯片单元,所述主体内设有油腔,所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数,同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力,并且能够提升模块的绝缘能力,减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。
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公开(公告)号:CN108809052A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810647185.3
申请日:2018-06-22
Applicant: 华北电力大学 , 富通集团(天津)超导技术应用有限公司
Abstract: 本发明公开了一种采用跑道形超导片堆叠线圈的超导电机,属于电机制作技术领域。该超导电机的基本结构包括转子、定子、传感器、轴承和机壳;其中,所述转子的绕组由跑道形铁基超导薄膜超导片堆叠而成;所述定子为电枢,由多相对称绕组绕制;组装好的转子装入杜瓦中,在所述杜瓦内填充液氮,用于给跑道形线圈提供低温运行环境;经过励磁的转子插入定子中,最后装入机;所述传感器固定在机壳内,用于把电机的转速和参数反馈给控制器。本发明的跑道形线圈制作简单,成品率高,能解决用铁基超导薄膜线材缠绕成跑道线圈所引起的受力不均匀问题,具有效率高、结构简单、重量轻、可靠性高等优点。
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