公开(公告)号：CN115353151A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211024189.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 华北电力大学 ,  北京科技大学

Inventor： 陈诺夫 ,  张豪 ,  钟键 ,  张芳 ,  张婷 ,  陈吉堃 ,  李子昂 ,  崔雨晨

IPC: C01G51/00

Abstract: 本发明提供一种稀土钴基氧化物电子相变材料的合成方法，属于粉体材料制备技术领域；包括以下步骤：S1、准备稀土氧化物前驱体和钴基氧化物前驱体作为初始原料，加入碱金属卤化物混合；S2、之后在0.1‑1000MPa的氧气压力下进行第一次热处理；所述第一次热处理的温度在碱金属卤化物的熔点温度以上；S3、然后在0.1‑1000MPa的氧气压力下进行第二次热处理，其温度低于碱金属卤化物的熔点温度1‑50℃；S4、将步骤S3得到的产物冲洗后离心干燥。通过使用具有异质籽晶与助熔剂双重作用的碱金属卤化物在两个不同温度条件下热处理来制备钙钛矿型稀土钴基氧化物，其成本低、生产效率高且合成温度低。

公开(公告)号：CN117228729A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311092579.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  杜舒雨 ,  夏宇轩 ,  钟键 ,  张豪 ,  章宇

IPC: C01G45/12 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明提供一种稀土碱土锰基氧化物电子相变膜材料的合成方法，涉及功能材料与器件的技术领域。本发明的合成方法基于生长材料和所用衬底的晶格匹配关系，先利用碱金属卤化物熔盐助熔剂有效溶解稀土氧化物、锰氧化物前驱体并结合高温高压下适当的热处理工艺；然后通过膜材料与衬底间的模板作用实现的稀土碱土锰基钙钛矿氧化物电子相变膜材料在不同曲率衬底表面上的非均匀形核生长方法，最后通过去离子水清洗得到。本发明所采用的合成技术工艺简单、能源消耗少，能够对膜材料中的稀土元素含量进行进准调控，并且所制备材料具有较宽范围温度内的可调节金属绝缘体转变特性，应用范围得到了极大地拓展，利于工业大规模生产和推广。