一种稀土碱土锰基氧化物电子相变膜材料的合成方法

    公开(公告)号:CN117228729A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311092579.4

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 本发明提供一种稀土碱土锰基氧化物电子相变膜材料的合成方法,涉及功能材料与器件的技术领域。本发明的合成方法基于生长材料和所用衬底的晶格匹配关系,先利用碱金属卤化物熔盐助熔剂有效溶解稀土氧化物、锰氧化物前驱体并结合高温高压下适当的热处理工艺;然后通过膜材料与衬底间的模板作用实现的稀土碱土锰基钙钛矿氧化物电子相变膜材料在不同曲率衬底表面上的非均匀形核生长方法,最后通过去离子水清洗得到。本发明所采用的合成技术工艺简单、能源消耗少,能够对膜材料中的稀土元素含量进行进准调控,并且所制备材料具有较宽范围温度内的可调节金属绝缘体转变特性,应用范围得到了极大地拓展,利于工业大规模生产和推广。

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