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公开(公告)号：CN117233216A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311202492.8
申请日：2023-09-18
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于氧化物气敏传感器领域，具体涉及一种双面电极型多孔硅基氧化物气敏传感器及其制备方法。该气敏传感器包括由下向上依次设置的硅基板、多孔硅层、氧化硅层和氧化物气敏层，所述氧化物气敏层上设有上电极，所述硅基板的背侧设有下电极；氧化物气敏层内设置有氧吸除材料区，所述氧化硅层内与氧吸除材料区对应位置设置有多孔硅区，多孔硅区的上部与氧吸除材料区相连通，下部与所述多孔硅层相连通，所述多孔硅区占据所述氧化硅层的一部分；所述氧吸除材料区的至少局部区域的上下方向上的电导率高于多孔硅的电导率。本发明利用氧吸除材料区在氧化硅层中形成空洞区域，降低了传感器的导通电阻，降低了器件工作电压。
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