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公开(公告)号:CN110136975B
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN201910394958.6
申请日:2019-05-13
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法,包括以下步骤:(1)在水热条件下,六水合硝酸钴和七水合钼酸钠发生反应,在泡沫镍上生长出CoMoO4纳米片阵列;(2)将硫化钠与CoMoO4纳米片阵列进行水热反应形成无定形CoMoS4纳米片阵列;(3)在水热条件下,六水合氯化镍、二氧化硒和尿素发生反应形成无定形NiSe,并沉积在无定形CoMoS4纳米片阵列的表面,最终得到无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料。该制备方法简单、成本低,且制得的无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料具有高的比电容和良好的循环稳定性,可应用于超级电容器电极材料,具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN110136975A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910394958.6
申请日:2019-05-13
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法,包括以下步骤:(1)在水热条件下,六水合硝酸钴和七水合钼酸钠发生反应,在泡沫镍上生长出CoMoO4纳米片阵列;(2)将硫化钠与CoMoO4纳米片阵列进行水热反应形成无定形CoMoS4纳米片阵列;(3)在水热条件下,六水合氯化镍、二氧化硒和尿素发生反应形成无定形NiSe,并沉积在无定形CoMoS4纳米片阵列的表面,最终得到无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料。该制备方法简单、成本低,且制得的无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料具有高的比电容和良好的循环稳定性,可应用于超级电容器电极材料,具有很好的应用前景。
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