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公开(公告)号：CN110845521B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201911036030.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开一种磁性荧光配合物，所述磁性荧光配合物的化学式为[CuI(phen)2]2Cu(phen)2I3，其中phen为邻菲罗啉，空间群为P21/c，晶胞参数为β＝108.381(7)°，单胞体积本发明还公开了一种磁性荧光配合物的制备方法，配体原料成本低，制备方法简易，且产率高。该磁性荧光配合物具有反铁磁性且能产生高强度的荧光，可用于制作荧光发光器件、信息存储器件或者磁光传感器件。
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公开(公告)号：CN109266328B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201811168131.5
申请日：2018-10-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开一种双配体构筑的Eu‑Cu配位聚合物荧光材料及其制备方法，制备得到的Eu‑Cu配位聚合物荧光材料的化学式为[Eu3Cu4Cl3(ina)8(suc)(H2O)4]n，其中n>1，Hina为烟酸，H4suc为丁二酸，属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为β＝98.655(9)°，单胞体积本发明中的Eu‑Cu配位聚合物荧光材料易于制备，配体原料便宜，产率高。该Eu‑Cu配位聚合物荧光材料可用于制作荧光发光器件。
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公开(公告)号：CN109266328A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811168131.5
申请日：2018-10-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开一种双配体构筑的Eu-Cu配位聚合物荧光材料及其制备方法，制备得到的Eu-Cu配位聚合物荧光材料的化学式为[Eu3Cu4Cl3(ina)8(suc)(H2O)4]n，其中n>1，Hina为烟酸，H4suc为丁二酸，属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为β＝98.655(9)°，单胞体积 本发明中的Eu-Cu配位聚合物荧光材料易于制备，配体原料便宜，产率高。该Eu-Cu配位聚合物荧光材料可用于制作荧光发光器件。
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公开(公告)号：CN101714460A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910193672.8
申请日：2009-10-29
Applicant: 华侨大学
IPC: H01G9/022 , H01M14/00 , H01L51/48 , H01M10/058 , H01M10/056 , C09K9/02
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯/聚丙烯酸系复合凝胶电解质的制备方法，其先制备了导电聚吡咯，通过丙烯酸系聚合物与导电聚吡咯复合，然后将液体电解质吸附进入复合物内。与现有技术相比，由于吡咯单体可以与有机溶剂混溶，因此吡咯单体可以大量被吸附进入聚丙烯酸复合物内部进一步生成聚吡咯，使制备出的聚吡咯/聚丙烯酸系复合凝胶电解质，最大室温电导率超过11mS/cm，具有较高的电导率。而且，生成的聚吡咯因不易溶于有机溶剂，且因氢键作用，所得聚吡咯/聚丙烯酸系复合物不易从聚丙烯酸系聚合物内部发生相分离或析出，具有较高的稳定性。本发明方法所制备的聚吡咯/聚丙烯酸系复合凝胶电解质，可应用于染料敏化太阳能电池、锂离子电池、超级电容器、光致变材料等领域。
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公开(公告)号：CN116534909A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310568490.4
申请日：2023-05-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于超级电容器技术领域，具体公开了一种无定形硫化钼钴多孔纳米球的制备方法及其应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)制备钼‑钴前驱体、(2)制备CoMoO4多孔纳米球、(3)制备无定形硫化钼钴多孔纳米球。本发明在室温下对CoMoO4多孔纳米球进行硫化反应，形成无定形硫化钼钴多孔纳米球，不需要加热；同时制备得到的硫化钼钴多孔纳米球为无定形结构，大量晶界的存在不但有利于离子/电子传输，而且能缓解电解质离子嵌入/脱出产生的体积变化，从而使得它具有高的比电容，以及良好的循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105839187B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610297408.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 华侨大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种有机‑无机杂化半导体晶体材料及其合成方法与应用，该半导体晶体材料为[Pb3I10Cu2(phen)4]n，是通过温和水热制得。该半导体晶体材料在340nm的紫外光照射下，产生波长近410nm的荧光，实际上是将紫外光转化为可见光，故可广泛地应用于光能转换，可用于制作荧光发光器件。该半导体晶体材料可用于太阳能电池和光电开关。而且该半导体晶体材料具有磁铁性，研究它的合成可以有助于磁自旋器件的设计。
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公开(公告)号：CN103601175A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310547046.0
申请日：2013-11-06
Applicant: 华侨大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂石墨烯的制备方法，其特征在于：高速机械搅拌氧化石墨烯与氨水混合溶液，同步进行氮掺杂和氧化石墨烯的还原，得到氮掺杂石墨烯。控制制备条件如溶液pH值、溶剂、溶液温度、搅拌速度和搅拌时间，可以制备不同氮含量（3.1～6.3wt.％）的氮掺杂石墨烯。该制备过程中使用机械法，对设备要求低，且不需要使用较高的温度，反应时间短，可以节约能源；制备过程中不需要加还原剂，对环境污染小。该制备方法流程简单，影响因素少，反应过程易控制，重现性好，可规模化生产，其制备技术极易推广应用。
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公开(公告)号：CN101714460B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910193672.8
申请日：2009-10-29
Applicant: 华侨大学
IPC: H01G9/022 , H01M14/00 , H01L51/48 , H01M10/058 , H01M10/056 , C09K9/02
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯/聚丙烯酸系复合凝胶电解质的制备方法，其先制备了导电聚吡咯，通过丙烯酸系聚合物与导电聚吡咯复合，然后将液体电解质吸附进入复合物内。与现有技术相比，由于吡咯单体可以与有机溶剂混溶，因此吡咯单体可以大量被吸附进入聚丙烯酸复合物内部进一步生成聚吡咯，使制备出的聚吡咯/聚丙烯酸系复合凝胶电解质，最大室温电导率超过11mS/cm，具有较高的电导率。而且，生成的聚吡咯因不易溶于有机溶剂，且因氢键作用，所得聚吡咯/聚丙烯酸系复合物不易从聚丙烯酸系聚合物内部发生相分离或析出，具有较高的稳定性。本发明方法所制备的聚吡咯/聚丙烯酸系复合凝胶电解质，可应用于染料敏化太阳能电池、锂离子电池、超级电容器、光致变材料等领域。
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公开(公告)号：CN117438220A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311503352.4
申请日：2023-11-13
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni3S2/二维纳米碳化钛/无定形碳复合材料的制备方法及其应用，包括如下步骤：(1)将商品化的Ti3AlC2粉末加入到LiF溶液中进行蚀刻反应，获得二维纳米Ti3C2Tx粉末；(2)将六水合氯化镍溶于由无水乙醇和去离子水组成的混合溶剂中，接着加入二维纳米Ti3C2Tx粉末，超声处理后边搅拌边加入尿素、聚乙烯吡咯烷酮、五水合硫代硫酸钠和盐酸多巴胺，得到反应液；(3)将反应液密封进行溶剂热反应，冷却至室温后，进行洗涤和干燥，得到溶剂热产物；(4)将步骤(3)所得的溶剂热产物在氩气气氛下，进行热处理，即得。本发明简单，成本低，重复性好。
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公开(公告)号：CN113675012B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110962124.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开一种富含氧空位的SnO2量子点/Ti3C2Tx MXene复合材料的制备方法，是先将Ti3AlC2粉末刻蚀形成Ti3C2Tx MXene，然后在溶剂热条件下，五水合四氯化锡、Ti3C2Tx MXene、尿素和邻菲罗啉发生反应，形成富含氧空位的SnO2量子点/Ti3C2Tx MXene复合材料。该制备方法简单、成本低，且制得的富含氧空位的SnO2量子点/Ti3C2Tx MXene复合材料具有高的比容量、良好的倍率性和循环稳定性，可用作锂离子电容器的负极材料，具有很好的应用前景。
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