公开(公告)号：CN117956813A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410061714.7

申请日：2024-01-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 魏展画 ,  谢立强 ,  靳永斌 ,  酆辉平 ,  方正

IPC: H10K30/80 ,  C23C14/30 ,  C23C14/08 ,  C23C28/00 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K39/15 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明涉及光伏发电技术领域，具体公开了一种可减小接触电阻的溅射缓冲层及其钙钛矿/硅叠层太阳能电池，其中溅射缓冲层材料为锡掺杂的氧化铟，通过将氧化铟、氧化锡按照质量比(80‑100):10作为电子束蒸镀的材料，采用电子束蒸镀方法制备厚度15‑25nm的ITO薄膜所得。本发明的溅射缓冲层可以有效地降低钙钛矿/硅叠层太阳能电池的接触电阻，从而提高电池的性能和稳定性；通过使用这种具有优化的缓冲层，电池的转换效率得到了显著提高。