公开(公告)号：CN115802770A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211487944.7

申请日：2022-11-25

Applicant: 华侨大学

Inventor： 谢立强 ,  杨柳 ,  魏展画

IPC: H10K30/30 ,  H10K30/15 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明公开了纯氯二维钙钛矿高效钝化富碘化铅宽带隙钙钛矿的方法及其太阳能电池。本发明通过筛选氯化有机胺盐，采用特定手段在三维钙钛矿活性层表面原位反应，生成纯氯二维钙钛矿，高效钝化三维钙钛矿的表面缺陷，并抑制载流子的非辐射复合，从而提升钙钛矿太阳能电池的开路电压和填充因子。本发明在保证电池制备成本低、方法简便的前提下，能够提高半透明宽带隙钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性，并能够应用于钙钛矿/钙钛矿或钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备。

公开(公告)号：CN117956813A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410061714.7

申请日：2024-01-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 魏展画 ,  谢立强 ,  靳永斌 ,  酆辉平 ,  方正

IPC: H10K30/80 ,  C23C14/30 ,  C23C14/08 ,  C23C28/00 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K39/15 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明涉及光伏发电技术领域，具体公开了一种可减小接触电阻的溅射缓冲层及其钙钛矿/硅叠层太阳能电池，其中溅射缓冲层材料为锡掺杂的氧化铟，通过将氧化铟、氧化锡按照质量比(80‑100):10作为电子束蒸镀的材料，采用电子束蒸镀方法制备厚度15‑25nm的ITO薄膜所得。本发明的溅射缓冲层可以有效地降低钙钛矿/硅叠层太阳能电池的接触电阻，从而提高电池的性能和稳定性；通过使用这种具有优化的缓冲层，电池的转换效率得到了显著提高。

公开(公告)号：CN117979780A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410132475.X

申请日：2024-01-31

Applicant: 华侨大学

Inventor： 魏展画 ,  谢立强 ,  方正 ,  邓冰如 ,  靳永斌

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/50 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明公开了一种通过纳米抛光精准去除钙钛矿薄膜缺陷层的方法，通过搭建原位抛光机，利用化学抛光液、阻尼抛光布和精密平衡抛光台，在多晶钙钛矿薄膜表面对未充分结晶的富缺陷层进行精准去除，降低了表面粗糙度，在表面形成了富溴的钙钛矿钝化层，有效抑制了离子迁移和相分离，同时也释放了钙钛矿晶格的残余应力，最终使纳米抛光后器件的性能和稳定性得到了有效的提升。通过在其它组分中也验证纳米抛光工艺的普适性，本发明采用“减法去除”缺陷的方式来代替通常使用的“加法沉积”化学物质进行表面钝化的方法，达到抑制钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失的目的，能够有效提高钙钛矿太阳能电池光电转换效率和稳定性。