公开(公告)号：CN118315002B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410710506.5

申请日：2024-06-03

Applicant: 华侨大学

Inventor： 翁智峰 ,  翟术英 ,  莫毓昌 ,  曹子涵

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06T17/00 ,  G06F111/10

Abstract: 一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法，包括以下步骤：S1 建立三元半导体化合物外延生长耦合相场模型，简称三元相场模型，所述的三元半导体化合物包括第一组分、第二组分、第三组分；S2 向三元相场模型中输入各参数信息，计算所述的三元相场模型#imgabs0#时刻的数值解；S3 对计算出来的三元相场模型#imgabs1#时刻的数值解利用半隐积分延迟校正算法进行后处理，得到高阶时间精度的三元相场模型#imgabs2#时刻校正数值解；本发明利用数值模拟进行仿真，可以在不需要消耗任何原材料的情况下，实现晶体生长全过程实时监测并可以灵活变动组分配比，为制备高性能、高质量单晶材料提供重要参考指导。

公开(公告)号：CN118315002A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410710506.5

申请日：2024-06-03

Applicant: 华侨大学

Inventor： 翁智峰 ,  翟术英 ,  莫毓昌 ,  曹子涵

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06T17/00 ,  G06F111/10

Abstract: 一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法，包括以下步骤：S1.建立三元半导体化合物外延生长耦合相场模型，简称三元相场模型，所述的三元半导体化合物包括第一组分、第二组分、第三组分；S2.向三元相场模型中输入各参数信息，计算所述的三元相场模型#imgabs0#时刻的数值解；S3.对计算出来的三元相场模型#imgabs1#时刻的数值解利用半隐积分延迟校正算法进行后处理，得到高阶时间精度的三元相场模型#imgabs2#时刻校正数值解；本发明利用数值模拟进行仿真，可以在不需要消耗任何原材料的情况下，实现晶体生长全过程实时监测并可以灵活变动组分配比，为制备高性能、高质量单晶材料提供重要参考指导。