公开(公告)号：CN119275190A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202310827009.9

申请日：2023-07-06

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 陈余 ,  李继明 ,  赵宇淳 ,  杨春城

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/24

Abstract: 本申请实施例提供了一种封装件、芯片和电子装置。该封装件包括基板和设置在基板上的第一管芯、第二管芯、第一结构件和第二结构件，第一管芯和第二管芯之间设置有第一介质材料；第一结构件设置于第一管芯远离基板的一侧，第一管芯位于第一结构件在基板表面的正投影区域内；第二结构件设置于第二管芯远离基板的一侧，第二管芯位于第二结构件在基板表面的正投影区域内，第一结构件和第二结构件之间具有空气间隙。该封装件中的第一结构件、第二结构件可以分别辅助第一管芯、第二管芯散热。由于第一管芯和第二管芯不会直接连接或接触，并且第一结构件和第二结构件不会直接连接或接触，因此可以降低管芯之间的热串扰的影响，提高散热效果。

公开(公告)号：CN118737980A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310351642.5

申请日：2023-03-29

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 梁芮 ,  赵宇淳 ,  杨春城 ,  张师伟 ,  景蔚亮

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请实施例提供一种芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备，涉及芯片技术领域。该芯片堆叠结构包括：至少两个堆叠设置的芯片，相邻的芯片之间通过介电层电连接；第一虚设结构，设置在介电层中，第一虚设结构的厚度小于或等于介电层的厚度；芯片包括：衬底，以及设置在衬底上的器件层；第二虚设结构，设置在衬底中，第二虚设结构从衬底远离器件层的一侧表面延伸进入到衬底中并达到第一深度，其中第一深度小于衬底的厚度；第一虚设结构的导热系数和第二虚设结构的导热系数均大于第一阈值。该芯片堆叠结构在提高了垂直导热性的同时，减少衬底上导热材料的堆积，以进一步减小芯片堆叠结构内部的机械应力，提高了可靠性。