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发明公开
用于测量光刻图形的方法、装置、设备、介质和程序产品审中-公开

公开(公告)号：CN118502199A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310153394.3

申请日：2023-02-16

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 许晨凯 , 张松飞 , 姚棋中 , 胡直峰

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开的实施例提供了用于测量光刻图形的方法、装置、设备、存储介质和程序产品，涉及芯片设计工具领域。所提供的方法包括在光刻图形的多个轮廓段中，确定与对应于光刻图形的设计版图中的测量点关联的至少一个轮廓段，所确定的至少一个轮廓段中的每个轮廓段在扫描方向上的坐标区间包含测量点在扫描方向上的坐标。方法还包括基于测量点和至少一个轮廓段，确定测量方向以及设计版图与光刻图形之间与测量点关联的距离。方法还包括至少基于该距离，确定测量结果。以此方式，通过利用与测量点关联的轮廓段而不是待测量的光刻图形的整个轮廓来确定测量方向以及距离，可以减小测量光刻图形的难度和对计算资源的消耗，以提高芯片设计和制造的效率。

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