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公开(公告)号：CN115331935A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210962239.1
申请日：2018-12-17
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备，涉及电子技术领域，解决了电子产品中电感尺寸较大的问题。该薄膜电感包括：磁芯，磁芯包括第一磁膜和第二磁膜。第一磁膜与第二磁膜之间具有容纳腔。导体，位于容纳腔内。绝缘间隔膜设置于导体两侧，且位于第一磁膜和第二磁膜之间。绝缘间隔膜与第一磁膜和第二磁膜相接触。第一磁膜和第二磁膜均包括多层磁性子膜和绝缘子膜。第一磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第二磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第一磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面，暴露出第一磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。和/或，第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面，暴露出第二磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。
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公开(公告)号：CN113016043B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201880099469.1
申请日：2018-12-17
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备，涉及电子技术领域，解决了电子产品中电感尺寸较大的问题。该薄膜电感包括：磁芯，磁芯包括第一磁膜和第二磁膜。第一磁膜与第二磁膜之间具有容纳腔。导体，位于容纳腔内。绝缘间隔膜设置于导体两侧，且位于第一磁膜和第二磁膜之间。绝缘间隔膜与第一磁膜和第二磁膜相接触。第一磁膜和第二磁膜均包括多层磁性子膜和绝缘子膜。第一磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第二磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第一磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面，暴露出第一磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。和/或，第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面，暴露出第二磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。
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公开(公告)号：CN114528090A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011236910.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种基于Vulkan实现图形渲染的方法及相关装置，方法包括：通过第一线程将异步执行的OpenGL ES指令处理成为第一事件event，第一事件包含异步执行的OpenGL ES指令的描述信息；通过第二线程处理第一事件得到第二任务job，第二任务包含一个第一事件或多个第一事件，多个第一事件是根据相同或者不同的异步执行的OpenGL ES指令处理得到的；通过第三线程将第二任务保存到命令缓存区；通过Vulkan接口向GPU图像处理器发送命令缓存区中的第二任务，其中，GPU用于根据第二任务完成图形渲染。采用本申请实施例，能够提高GPU的渲染效率。
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公开(公告)号：CN113016043A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201880099469.1
申请日：2018-12-17
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备，涉及电子技术领域，解决了电子产品中电感尺寸较大的问题。该薄膜电感包括：磁芯，磁芯包括第一磁膜和第二磁膜。第一磁膜与第二磁膜之间具有容纳腔。导体，位于容纳腔内。绝缘间隔膜设置于导体两侧，且位于第一磁膜和第二磁膜之间。绝缘间隔膜与第一磁膜和第二磁膜相接触。第一磁膜和第二磁膜均包括多层磁性子膜和绝缘子膜。第一磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第二磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第一磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面，暴露出第一磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。和/或，第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面，暴露出第二磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。
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