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公开(公告)号:CN116033766A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202211695454.6
申请日:2022-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种DJ型黑相FAPbI3准二维厚膜及X射线探测器的制作方法。本发明提供的DJ型准二维钙钛矿结构能够稳定FAPbI3的黑相,准二维量子肼结构能够有效抑制离子迁移,抑制基线漂移,从而提升了器件长久工作的稳定性。DJ型钙钛矿层间距较小,在抑制了离子迁移的同时可保证载流子的传输效率,同时偏立方相的黑相FAPbI3有利于厚膜体系载流子的输运,从而使器件获得高灵敏度、快响应和高信噪比。
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公开(公告)号:CN117881256A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410040976.5
申请日:2024-01-10
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及复合材料技术领域,尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法;所述方法包括:混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液,对混合物进行静置,得到饱和混合物;于饱和混合物中加入种子层,得到种子混合物;对种子混合物进行静置,后采用苯甲醚溶剂对静置后的所述种子混合物进行溶剂退火,得到钙钛矿材料基底;以及,使钙钛矿材料基底的至少部分表面覆盖金属电极材料,得到X射线探测器件;通过引入溶剂退火的方式,可以在钙钛矿膜上形成相对稳定的热场,减少了缺陷并提升了晶体质量;而这种高质量、高均匀性的厚膜可以使得钙钛矿材料基底产生了更低的暗电流和信噪比。
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公开(公告)号:CN115867101A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211695417.5
申请日:2022-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种RP型MAPbI3准二维钙钛矿厚膜及X射线探测器的制备方法。本发明提供的准二维膜层厚度达百微米以上,结构是一种梯度n值分布的结构,表面趋于三维结构,底面趋于二维结构,梯度结构降低了载流子的跃迁势垒,提升了载流子的收集效率。同时,准二维结构可以钝化体表处的晶界缺陷,从而获得更低的缺陷态密度。准二维结构能够显著抑制器件的离子迁移过程,因此器件获得了更高的工作稳定性。最终,准二维结构的X射线探测器的灵敏度更高、检测限更低,较三维结构具有明显优势。
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公开(公告)号:CN117693272A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202311722124.6
申请日:2023-12-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿X射线探测器集成界面应力缓释的方法,属于X射线探测器领域。所述方法包括:得到钙钛矿厚膜;将ACA胶涂覆到TFT像素基板的至少部分表面,得到含有ACA胶层的TFT像素基板;将所述钙钛矿厚膜覆盖到ACA胶层的至少部分表面,后进行退火;将所述退火后的所述钙钛矿厚膜的至少部分表面设置金属电极,得到钙钛矿X射线探测器。通过在钙钛矿厚膜和TFT阵列集成界面处引入各向异性导电胶缓冲界面应力,较传统方法有更深的相互作用深度,更好地粘附力,实现低死像元率、高空间分辨率和出色机械稳定性的X射线平板探测器的制备。
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公开(公告)号:CN115295579A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202211072431.X
申请日:2022-09-02
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及半导体光电探测器领域,尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法;钙钛矿材料层,铝膜层,以及薄膜层,铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间,且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置;其中,薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层;所述方法包括:对基板的表面进行TFT驱动器件成型,再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型,得到功能单元;在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层,后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层,得到含防水氧结构的封装面板;通过铝膜层和薄膜层,避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀,起到有效封装。
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公开(公告)号:CN116249361A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202211702773.5
申请日:2022-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种X射线探测器的制作方法。本发明通过采用异方性导电胶作为粘结层,将钙钛矿层与ITO玻璃基板异质集成,可以很好地避免因钙钛矿层和基底热膨胀系数不同导致的钙钛矿层脱落的问题发生。同时,采用ACA胶作为粘结层,能够提供更强的粘结力,使制作的器件具有更好的力学稳定性。
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公开(公告)号:CN221883907U
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202420360123.5
申请日:2024-02-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种X射线闪烁体成像系统,包括:铅屏蔽箱、X射线源、闪烁体材料、镀银反射镜和相机,其中,所述X射线源设置于所述铅屏蔽箱中,所述闪烁体材料正对所述X射线源,所述镀银反射镜设置于所述闪烁体材料和所述相机之间,所述闪烁体材料接收所述X射线源的光线并传输至所述镀银反射镜上,而后由所述相机接收。本申请提供的一种X射线闪烁体成像系统具有移动便捷、可更换闪烁体材料的优势,可兼顾多种成像模式,能够进行闪烁体材料更换、功能性成像,获得高速、事件型、快速闪烁体成像,在便携检测、文物鉴定和科学研究方面具有显著地不可替代性优势。
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公开(公告)号:CN117187957A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202310690503.5
申请日:2023-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种A(BC)D型钙钛矿材料的制备方法,属于多晶体领域。一种A(BC)D型钙钛矿材料的制备方法,包括以下步骤:S1、将含有A源、B源、C源、D源的混合物,加热后得到固体溶液,再降温凝固后得到钙钛矿材料固体;S2、将所述钙钛矿材料固体制成粉末,加热后得到固体溶液,再降温凝固后得到钙钛矿材料固体;S3、重复步骤S2,得到所述钙钛矿材料。所述钙钛矿材料中形成BC合金,同时具有ABD3和ACD3两种物质的物理或化学性能优点。该固相反应对目标晶体的指向性明确,没有原料上的浪费,克服了传统熔融法成分偏析影响;固相直接反应生成新晶体,长晶过程中其他因素影响小,主要考虑温度影响即可。
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