公开(公告)号：CN103700726B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310733870.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 秦应雄 ,  王雪 ,  余建堤 ,  谈贤杰 ,  周日发

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，包括以下步骤：（1）将晶体硅片清洗并织构化，采用热扩散工艺对硅片进行初步杂质扩散，使得晶体硅片表面形成一预涂层；（2）将晶体硅片送至掩膜板正下方，使晶体硅片的几何中心与掩膜板的几何中心重合，掩膜板的漏光缝隙与晶体硅片上的电池片细栅重合，掩膜板和晶体硅片紧贴；（3）使用条形均匀激光束进行激光扫描掺杂。与现有技术相比，本发明更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。

公开(公告)号：CN103700726A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310733870.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 秦应雄 ,  王雪 ,  余建堤 ,  谈贤杰 ,  周日发

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，包括以下步骤：（1）将晶体硅片清洗并织构化，采用热扩散工艺对硅片进行初步杂质扩散，使得晶体硅片表面形成一预涂层；（2）将晶体硅片送至掩膜板正下方，使晶体硅片的几何中心与掩膜板的几何中心重合，掩膜板的漏光缝隙与晶体硅片上的电池片细栅重合，掩膜板和晶体硅片紧贴；（3）使用条形均匀激光束进行激光扫描掺杂。与现有技术相比，本发明更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。

公开(公告)号：CN203674244U

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201320868161.3

申请日：2013-12-26

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 王雪 ,  秦应雄 ,  张洋 ,  余建堤 ,  谈贤杰 ,  周日发

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂掩膜板，包括一框架，以及平行固定在框架内的若干个三棱柱体，所述三棱柱体的底面为等腰三角形，每个三棱柱体的侧表面均为聚光面，所述聚光面上镀有一层反射膜。与现有技术相比，本实用新型更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。