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公开(公告)号:CN118047599A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202410042349.5
申请日:2024-01-11
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/195 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域,公开了一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂,具体的,提供了一种微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用,该微波介质陶瓷材料的化学式为(BaxSryCaz)3MgSi2O8,其中,0<x<1,0≤y<1,0≤z<1,且x+y+z=1;并且,当z=0时,0.25≤x≤0.75,0.25≤y≤0.75;当z≠0时,0.33≤x≤0.34,0≤y≤0.66。本发明通过对材料的组成进行改进,得到的(BaxSryCaz)3MgSi2O8材料,具有介电常数低,介电损耗低,谐振频率温度系数可调的特点,尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂。
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公开(公告)号:CN113563052A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110960578.1
申请日:2021-08-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01P1/20 , H01P7/10 , H05K1/03
Abstract: 本发明公开了一种硼酸盐基低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,微波介质陶瓷的化学组成为CaxB2O3+x,其中0.3≤x≤3.0。微波介质陶瓷的介电常数为5.62~10.12,品质因数为13161GHz~52416GHz,谐振频率温度系数为‑20.42ppm/℃~‑54.65ppm/℃。陶瓷材料以5℃/min升温至700℃保温3小时完成预烧合成,以5℃/min升温至750℃~1275℃保温3小时完成烧结。本发明中制备得到的微波介质陶瓷具有低介电常数、高品质因数和较低的烧结温度,适合用于制备LTCC基板、介质谐振器、滤波器和介质天线等微波通讯器件。
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公开(公告)号:CN117550884A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311283653.0
申请日:2023-10-07
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域,公开了一种抗还原的微波介质陶瓷温频特性调节剂,其中,微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用,微波介质陶瓷材料的化学式满足(AO)3(BO)(XO2)2,A=BaxSry,B=MnhMgk,X=SimTin;x+y=1,h+k=1,m+n=1,0≤x≤1,0.6≤h≤1,0.8≤m≤1;并且,当h=1且m=1时,x≠0;该微波介质陶瓷材料能够通过添加从而调节陶瓷体系整体的谐振频率温度系数。本发明通过对材料的组成进行改进,得到的微波介质陶瓷材料具有介电常数可调,介电损耗低,谐振频率温度系数正值高的特点,尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂,调控作用强。
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