公开(公告)号：CN115198252B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202210303352.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

Inventor： 陈蓉 ,  曹坤 ,  严谨 ,  单斌 ,  李易诚 ,  胡嘉成

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。

公开(公告)号：CN109355641A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811313431.8

申请日：2018-11-06

Applicant: 华中科技大学无锡研究院

Inventor： 陈蓉 ,  张晶 ,  刘潇 ,  单斌 ,  曹坤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及一种无机颜料表面改性的方法，属于工业无机颜料改性技术领域。其通过对无机颜料进行球磨粉碎后将其置于粉末原子层沉积设备中，在适当的反应温度和压力下，选择合适活性与蒸汽压的前驱体交替通入，在无机颜料表面通过活性官能团的交换形成单层化学吸附并完成自限制化学半反应，生成致密的薄膜，对表面的各个部位进行厚度均匀一致的薄膜包覆。本发明采用的原子层沉积生成的纳米薄膜包覆均匀性较高，尤其对于颗粒较小的无机颜料可实现其均匀包覆。本发明通过原子层沉积生成的纳米薄膜结构致密，具有均匀的厚度、优异的一致性，由于其反应机理的特点，可实现对不同粒径的无机颜料的包覆。

公开(公告)号：CN109355641B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201811313431.8

申请日：2018-11-06

Applicant: 华中科技大学无锡研究院

Inventor： 陈蓉 ,  张晶 ,  刘潇 ,  单斌 ,  曹坤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及一种无机颜料表面改性的方法，属于工业无机颜料改性技术领域。其通过对无机颜料进行球磨粉碎后将其置于粉末原子层沉积设备中，在适当的反应温度和压力下，选择合适活性与蒸汽压的前驱体交替通入，在无机颜料表面通过活性官能团的交换形成单层化学吸附并完成自限制化学半反应，生成致密的薄膜，对表面的各个部位进行厚度均匀一致的薄膜包覆。本发明采用的原子层沉积生成的纳米薄膜包覆均匀性较高，尤其对于颗粒较小的无机颜料可实现其均匀包覆。本发明通过原子层沉积生成的纳米薄膜结构致密，具有均匀的厚度、优异的一致性，由于其反应机理的特点，可实现对不同粒径的无机颜料的包覆。

公开(公告)号：CN117198945A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311327624.X

申请日：2023-10-13

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

Inventor： 曹坤 ,  洪子晗 ,  陈蓉 ,  单斌 ,  张城睿

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B3/08 ,  B08B5/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本申请涉及一种晶圆加工设备，包括喷气组件、翻转机构和液相浸泡平台，喷气组件位于翻转机构的上方，液相浸泡平台位于翻转机构的下方，且翻转机构用于承接晶圆并对晶圆进行翻转；喷气组件用于对晶圆的待处理面进行喷气清洗；液相浸泡平台用于对晶圆的待处理面进行浸泡处理。本申请的晶圆加工设备，利用翻转机构可以实现对晶圆的0°～180°旋转，使得晶圆的待处理面可以翻转至与喷气组件，也可以翻转至与液相浸泡平台相对。如此，既可以满足喷气组件对晶圆进行清洗的需要，又可以将晶圆倒扣浸泡在液相浸泡平台的化学处理液中。这种集成清洗功能和浸泡功能的方式，不仅优化了晶圆加工设备的功能，而且改善了晶圆加工品质。

公开(公告)号：CN115198252A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210303352.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

Inventor： 陈蓉 ,  曹坤 ,  严谨 ,  单斌 ,  李易诚 ,  胡嘉成

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。