-
公开(公告)号：CN120072767A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510233959.8
申请日：2025-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H10B80/00 , H01L23/488
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，公开了一种优化散热结构的HBM芯片。该HBM芯片自下而上一次包括基板、微凸起层、逻辑芯片层、存储层、导热层和散热层；存储层为多个存储芯片自下而上堆叠形成；逻辑芯片层与所述散热层之间还设有热优化区；热优化区由导热材料制得，其上端与散热层直接键合、下端与逻辑芯片层直接键合，且与存储层和导热层接触。本发明通过在逻辑芯片层和散热层之间设置与两者直接连接的热优化区，能够将逻辑芯片的热量直接通过热优化散热区域直接传递到散热层中，实现更高效的方式散热、更大的存储性能并减小芯片翘曲。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
