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公开(公告)号：CN102298505A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010210275.X
申请日：2010-06-28
Applicant: 华中科技大学 , 南京长城信息系统有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的系统中的硬盘数据管理装置及其管理硬盘数据的方法。FPGA包括数据处理、缓冲及分流模块，ARM接口模块，本地数据输入接口模块，本地数据输出接口模块，硬盘接口模块，网络模块，ARM架构处理器通过ARM接口模块与FPGA连接，FPGA通过ARM架构处理器对硬盘数据进行文件管理，FPGA通过本地数据输入接口模块与数据输入设备连接，FPGA通过本地数据输出接口模块与数据接收设备连接，FPGA通过硬盘接口模块与硬盘连接，FPGA通过网络模块连接网络。FPGA通过ARM架构处理器对硬盘数据进行文件管理，数据的处理工作在FPGA中完成。本发明可以提供性能更加优良的高速数据处理产品。
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公开(公告)号：CN118426086A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410538358.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于微纳光学器件制备领域，公开了一种利用二次曝光调控微透镜面形的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上均匀涂覆正性化学放大光刻胶层，并通过掩模版光刻紫外曝光、后烘、显影形成图案化的光刻胶胶柱结构；(2)对光刻胶胶柱结构进行无掩模版的再次紫外曝光，并再次后烘；(3)进行热回流工艺形成具有曲面面形的光刻胶结构；(4)刻蚀使光刻胶结构的曲面面形转移到衬底上，即可得到微透镜；通过调控再次紫外曝光的剂量、再次后烘的温度以及再次后烘的时间中的至少一者，即可调节光刻胶结构的曲面面形。本发明利用正性化学放大光刻胶，通过在热回流技术前，新引入第二次无掩模版曝光、二次后烘，为面形调控提供了新途径。
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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN118330996A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410440295.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于微纳光学器件制备领域，公开了一种利用附加压强调控微透镜面形的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上涂覆光刻胶层并形成光刻胶胶柱结构；(2)将位于衬底上的光刻胶胶柱结构通过热回流工艺形成具有曲面面形的光刻胶结构，在热回流工艺的同时，通过压力控制装置施加附加压强，从而调节光刻胶结构的曲面面形；(3)使用刻蚀工艺，使光刻胶结构的曲面面形转移到衬底上，得到微透镜。本发明通过引入压力控制装置主动调控热回流时光刻胶外部环境气压，光刻胶在热回流过程中形成的曲面面形的受附加压强的调节，相当于在光刻胶的热回流过程中引入了一个新的调控参量，为面形调控提供了新途径，操作方便，调控灵活。
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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118224124A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410416601.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 广东顺威精密塑料股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及风机技术领域，提供了一种叶轮及离心风机，其中，所述叶轮包括轮毂、沿所述轮毂的周向间隔设置的多个叶片、盖设于所述轮毂的其中一端的第一盖板以及环绕所述轮毂的另一端固定设置的第二盖板；所述第一盖板和所述第二盖板分别与多个所述叶片固定连接；所述叶片包括设置于靠近所述叶轮的中心的第一叶片部以及与所述第一叶片部间隔且设置于远离所述叶轮的中心的第二叶片部，所述第一叶片部和所述第二叶片部分别为弧形结构。本发明中的叶轮可以由叶片压力面侧的高压区通过第一叶片部和第二叶片部的间隙形成压力梯度，以削弱高流速状况下叶片吸力面侧的非活跃流动区，进而减少叶道内部的流动损失，同时提升叶片设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN110698077B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910847897.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/22 , C04B41/85 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/115
Abstract: 本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。
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公开(公告)号：CN109671848B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811517637.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池及其制备方法，其中CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池具体是以CuPbSbS3薄膜作为吸光层；制备方法则是采用BDCA溶液法制备CuPbSbS3前驱溶液，再将所述CuPbSbS3前驱溶液旋涂于待沉积衬底的表面，然后将该衬底依次经过退火温度高低不同的低温退火过程和高温退火过程，由此得到CuPbSbS3薄膜。本发明以CuPbSbS3薄膜为薄膜太阳能电池中的吸光层材料，可推动低成本、高效率新型薄膜太阳能电池的发展；该CuPbSbS3材料具有本征P型、禁带宽度适中、介电常数与光吸收系数较大的特点，非常适合用于薄膜太阳能电池吸光层材料。
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公开(公告)号：CN107994613A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711399632.X
申请日：2017-12-22
Applicant: 华中科技大学 , 国网浙江省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种风电柔直并网的交直流故障穿越及能量耗散方法，系统主要由直驱式永磁同步发电机、全功率变频器、混合型MMC和耗散电阻构成，通过混合型MMC对交直流电流分别进行控制，在直流故障时通过负投入全桥型子模块使得MMC工作在零直流电压附近，从而无需闭锁MMC即可实现直流故障穿越。为保证故障期间换流阀的安全，采用耗散电阻吸收故障期间的能量，使风电场在故障期间不会脱网，依然维持正常运行。
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公开(公告)号：CN104900391B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510250002.0
申请日：2015-05-15
Abstract: 本发明公开了一种磁力提手，包括两个磁力执行机构和连接于两个磁力执行机构之间的转动调节机构；磁力执行机构包括磁力座、中间连接板、承力臂、弹性定位机构和手柄；磁力座的上端面通过中间连接板与承力臂固接；中间连接板上开有通孔，通孔内设有连接磁力座上端面的弹性定位机构；承力臂的一端连接手柄的一侧，手柄的另一侧设有用于连接旋转调节机构的连接臂；转动调节机构包括棘轮、棘爪、旋转轴和弹簧，棘轮固定于一个磁力执行机构的连接臂上，棘爪的转动端通过旋转轴连接另一个磁力执行机构的连接臂，棘爪的大端通过弹簧连接另一个磁力执行机构的手柄。本发明结构简单，使用方便，稳定可靠，能够实现精密铁磁性工件的无划伤、无污渍装配。
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