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公开(公告)号：CN109991649A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910234109.4
申请日：2019-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备无机闪烁体膜的方法，该方法是以AxByXz粉末原料为蒸发源，利用物质升华的原理，先对放有原料和基底的沉积腔体进行抽真空处理，然后在真空环境下对原料和基底进行加热，使AxByXz材料沉积在基底上，从而得到AxByXz无机闪烁体膜；其中A为一价碱金属阳离子；B为Cu,Ag中的任意一种；X为一价卤素阴离子；x:y:z满足1:1:2、1:2:3、2:1:3或3:2:5。本发明制备方法不仅操作简单、沉积速率快、成本低廉、可大面积批量合成，而且得到的无机闪烁体膜层均匀致密、结晶度高、取向性好、与基底附着力强、X射线响应性能优异。本发明为无机闪烁体厚膜的制备提供了有效的解决方案，进而为后端的闪烁体探测器的集成化提供了有效的手段，市场应用潜力巨大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109671848B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811517637.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池及其制备方法，其中CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池具体是以CuPbSbS3薄膜作为吸光层；制备方法则是采用BDCA溶液法制备CuPbSbS3前驱溶液，再将所述CuPbSbS3前驱溶液旋涂于待沉积衬底的表面，然后将该衬底依次经过退火温度高低不同的低温退火过程和高温退火过程，由此得到CuPbSbS3薄膜。本发明以CuPbSbS3薄膜为薄膜太阳能电池中的吸光层材料，可推动低成本、高效率新型薄膜太阳能电池的发展；该CuPbSbS3材料具有本征P型、禁带宽度适中、介电常数与光吸收系数较大的特点，非常适合用于薄膜太阳能电池吸光层材料。
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公开(公告)号：CN110016646B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910227886.6
申请日：2019-03-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/06 , H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于高能射线探测的铅基卤素无机钙钛矿膜的制备方法，该方法是利用组分调控得到前驱体原料，将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源，每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变，从而利用同源多分共蒸方法实现气相转移沉积钙钛矿膜的制备。本发明通过在气相转移沉积方法的沉积过程中补入适量的组分原料，同时采用同源多分共蒸的方法，可以制得适用于高能射线探测等用途的无机钙钛矿厚膜，该方法操作简单，制备出的钙钛矿厚膜厚度大、晶粒大、均匀性好且表面覆盖好，可制得性能良好且稳定性优异的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN109671848A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811517637.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池及其制备方法，其中CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池具体是以CuPbSbS3薄膜作为吸光层；制备方法则是采用BDCA溶液法制备CuPbSbS3前驱溶液，再将所述CuPbSbS3前驱溶液旋涂于待沉积衬底的表面，然后将该衬底依次经过退火温度高低不同的低温退火过程和高温退火过程，由此得到CuPbSbS3薄膜。本发明以CuPbSbS3薄膜为薄膜太阳能电池中的吸光层材料，可推动低成本、高效率新型薄膜太阳能电池的发展；该CuPbSbS3材料具有本征P型、禁带宽度适中、介电常数与光吸收系数较大的特点，非常适合用于薄膜太阳能电池吸光层材料。
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公开(公告)号：CN109991649B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910234109.4
申请日：2019-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备无机闪烁体膜的方法，该方法是以AxByXz粉末原料为蒸发源，利用物质升华的原理，先对放有原料和基底的沉积腔体进行抽真空处理，然后在真空环境下对原料和基底进行加热，使AxByXz材料沉积在基底上，从而得到AxByXz无机闪烁体膜；其中A为一价碱金属阳离子；B为Cu,Ag中的任意一种；X为一价卤素阴离子；x:y:z满足1:1:2、1:2:3、2:1:3或3:2:5。本发明制备方法不仅操作简单、沉积速率快、成本低廉、可大面积批量合成，而且得到的无机闪烁体膜层均匀致密、结晶度高、取向性好、与基底附着力强、X射线响应性能优异。本发明为无机闪烁体厚膜的制备提供了有效的解决方案，进而为后端的闪烁体探测器的集成化提供了有效的手段，市场应用潜力巨大。
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公开(公告)号：CN110016646A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910227886.6
申请日：2019-03-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/06 , H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于高能射线探测的铅基卤素无机钙钛矿膜的制备方法，该方法是利用组分调控得到前驱体原料，将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源，每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变，从而利用同源多分共蒸方法实现气相转移沉积钙钛矿膜的制备。本发明通过在气相转移沉积方法的沉积过程中补入适量的组分原料，同时采用同源多分共蒸的方法，可以制得适用于高能射线探测等用途的无机钙钛矿厚膜，该方法操作简单，制备出的钙钛矿厚膜厚度大、晶粒大、均匀性好且表面覆盖好，可制得性能良好且稳定性优异的半导体探测器。
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