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公开(公告)号：CN118392908A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410596281.5
申请日：2024-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N24/08
Abstract: 本申请属于固态核磁共振领域，具体公开了用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法。通过本申请，通过3He制冷插件为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境，通过位置调节构件，调节样品在磁场中的位置，使其处在高均匀的磁场范围内；采用双通道测量电路，其中一通道测量样品的NMR信号，另一通道测量标准样品的NMR信号从而标定瞬时磁场的精确强度，结合双通道的测量可以得到样品的化学(奈特)位移，降低了核磁共振实验的误差，从而实现了极低温、脉冲强磁场下的核磁共振测量。
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公开(公告)号：CN117809928A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311734683.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性脉冲磁体及优化方法，脉冲磁体包括螺线管磁体线圈、分裂间隙垫块和加固层；螺线管磁体线圈包括多层同轴绕制的第一部分和绕制在分裂间隙垫块上的第二部分；第一部分与第二部分连续绕制，第一部分用于产生主脉冲强磁场，第二部分用于产生能够补偿主脉冲强磁场的空间不均匀性的部分脉冲强磁场；加固层为多层且以同轴的方式缠绕在每一层的第一部分和第二部分外部，分裂间隙垫块同轴设置在第j‑1层和第j层的加固层上，分裂间隙垫块设置有单匝过渡导线凹槽，导线凹槽用于绕制第二部分，填补分裂间隙垫块空缺并提供轴向支撑。本发明利用连续两层分裂导体结构来降低脉冲磁体中平面附近的平均电流密度，从而改善脉冲高场磁体的均匀性。
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公开(公告)号：CN114114093B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210098212.2
申请日：2022-01-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲磁体磁场中心定位装置及方法，定位装置包括交流电流源、测量杆、定位控制模块、步进电机导轨模组和步进电机驱动器；脉冲磁体产生稳定幅值和频率的交变磁场；测量杆用于实时感应不同空间位置的交变磁场并产生感应电压信号；步进电机导轨模组根据驱动信号用于控制测量杆在脉冲磁体磁场空间范围内进行移动；定位控制模块用于实时采集位于不同脉冲磁体磁场空间位置处测量线圈输出的感应电压信号，并根据定位算法对感应电压信号进行处理后输出用于控制步进电机移动的控制指令信号；步进电机驱动器用于根据控制指令信号输出驱动信号。本发明能够快速精准的控制测量线圈位于脉冲磁体磁场中心位置，提高定位精度。
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公开(公告)号：CN114910854B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210824664.4
申请日：2022-07-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲强磁场下核磁共振FID信号相位校正方法，包括如下步骤：采集样品在脉冲强磁场下核磁共振的FID时域信号；对时域信号进行傅里叶变换得到频域信号，然后分别对频域信号和时域信号进行寻峰操作，对应找到频域信号的波峰点位置和时域信号的波峰和波谷点位置；根据时域信号的波峰和波谷点位置，计算包含相邻峰值点在内的各时域信号点的实际相位矩阵，然后利用频域信号的波峰点位置，计算时域信号中各时域信号点所对应的理论相位矩阵；利用实际相位矩阵和理论相位矩阵的差值，对原时域信号进行相位校正。本发明能对非平顶脉冲和平顶脉冲磁场下FID信号进行相位校正，普适性强。
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公开(公告)号：CN114114093A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210098212.2
申请日：2022-01-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲磁体磁场中心定位装置及方法，定位装置包括交流电流源、测量杆、定位控制模块、步进电机导轨模组和步进电机驱动器；脉冲磁体产生稳定幅值和频率的交变磁场；测量杆用于实时感应不同空间位置的交变磁场并产生感应电压信号；步进电机导轨模组根据驱动信号用于控制测量杆在脉冲磁体磁场空间范围内进行移动；定位控制模块用于实时采集位于不同脉冲磁体磁场空间位置处测量线圈输出的感应电压信号，并根据定位算法对感应电压信号进行处理后输出用于控制步进电机移动的控制指令信号；步进电机驱动器用于根据控制指令信号输出驱动信号。本发明能够快速精准的控制测量线圈位于脉冲磁体磁场中心位置，提高定位精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112615598A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011491782.5
申请日：2020-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03H7/46
Abstract: 本发明公开了一种低插损可调频式宽带脉冲NMR射频双工器，包括：第一直流偏置模块、第二直流偏置模块、第一选频模块、第二选频模块和探头线圈；第一直流偏置模块提供直流偏置并通过改变偏置电压的大小来改变输入支路的开通和关断状态；第一选频模块通过改变双工电路的等效输入阻抗使双工电路在不同频率下得到阻抗匹配，实现双工电路通带中心频率转移；第二选频模块通过改变双工电路的等效输出阻抗使双工电路在输出信号频率的一定范围满足阻抗匹配要求，并将线圈检测到的FID信号传送至输出端口；第二直流偏置模块用于提供直流偏置并通过改变偏置电压的大小来改变输出支路的开通和关断状态。本发明可以解决中心频率小和频带固定的问题。
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公开(公告)号：CN118392908B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410596281.5
申请日：2024-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N24/08
Abstract: 本申请属于固态核磁共振领域，具体公开了用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法。通过本申请，通过3He制冷插件为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境，通过位置调节构件，调节样品在磁场中的位置，使其处在高均匀的磁场范围内；采用双通道测量电路，其中一通道测量样品的NMR信号，另一通道测量标准样品的NMR信号从而标定瞬时磁场的精确强度，结合双通道的测量可以得到样品的化学(奈特)位移，降低了核磁共振实验的误差，从而实现了极低温、脉冲强磁场下的核磁共振测量。
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公开(公告)号：CN113325351B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110491170.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/387 , G01R33/3875
Abstract: 本发明提供一种高均匀度脉冲强磁场发生装置及方法，包括：主磁体线圈为多层线圈，其连接主磁体电路，用于产生主磁场；主磁场在其磁场空间的任意时间点上均存在不均匀分量；匀场线圈连接匀场电路，产生补偿磁场；补偿磁场对主磁场预设空间区域的不均匀分量进行补偿，使得主磁场在预设空间内相对均匀；预设空间与补偿磁场的作用空间相关；匀场线圈包括串联的两个线圈，之间有空隙，结构尺寸且绕向相同，采用通电圆环结构；控制模块实时测量主磁体线圈中的电流和匀场线圈中的电流，闭环反馈调节匀场线圈的电流，以实现对主磁场的动态均匀补偿。通过匀场线圈产生磁场能够在目标区域内进行精确的匀场补偿，使得磁场均匀度实现一个数量级以上的提升。
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公开(公告)号：CN113325351A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110491170.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/387 , G01R33/3875
Abstract: 本发明提供一种高均匀度脉冲强磁场发生装置及方法，包括：主磁体线圈为多层线圈，其连接主磁体电路，用于产生主磁场；主磁场在其磁场空间的任意时间点上均存在不均匀分量；匀场线圈连接匀场电路，产生补偿磁场；补偿磁场对主磁场预设空间区域的不均匀分量进行补偿，使得主磁场在预设空间内相对均匀；预设空间与补偿磁场的作用空间相关；匀场线圈包括串联的两个线圈，之间有空隙，结构尺寸且绕向相同，采用通电圆环结构；控制模块实时测量主磁体线圈中的电流和匀场线圈中的电流，闭环反馈调节匀场线圈的电流，以实现对主磁场的动态均匀补偿。通过匀场线圈产生磁场能够在目标区域内进行精确的匀场补偿，使得磁场均匀度实现一个数量级以上的提升。
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公开(公告)号：CN112615598B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011491782.5
申请日：2020-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03H7/46
Abstract: 本发明公开了一种低插损可调频式宽带脉冲NMR射频双工器，包括：第一直流偏置模块、第二直流偏置模块、第一选频模块、第二选频模块和探头线圈；第一直流偏置模块提供直流偏置并通过改变偏置电压的大小来改变输入支路的开通和关断状态；第一选频模块通过改变双工电路的等效输入阻抗使双工电路在不同频率下得到阻抗匹配，实现双工电路通带中心频率转移；第二选频模块通过改变双工电路的等效输出阻抗使双工电路在输出信号频率的一定范围满足阻抗匹配要求，并将线圈检测到的FID信号传送至输出端口；第二直流偏置模块用于提供直流偏置并通过改变偏置电压的大小来改变输出支路的开通和关断状态。本发明可以解决中心频率小和频带固定的问题。
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